基本情報
| ブース | T9404 |
| 国 | JP |
| ウェブサイト | www.topologic.jp/en |
会社概要
TopoLogic株式会社は 2021 年 7 月 15 日に設立された、トポロジカル物質の技術を中核とするディープテックスタートアップであり、量子力学に基づく新素材「トポロジカル物質」の社会実装を目指す東京大学発企業です。東京大学の Nakatsuji Lab と連携してデバイス開発や産業企業とのパートナーシップに取り組み、トポロジカル物質で産業や世界の難しい課題を解決し、サステナブルな社会の実現を目指しています。事業内容は、トポロジカル物質とそれを用いたデバイスの研究、開発、設計、製造、販売に加え、関連ソフトウェアの開発、設計、製造、販売、保守、さらにトポロジカル物質に関する業務・研究開発コンサルティングを含みます。本社は東京大学アントレプレナープラザ、開発拠点は大阪に置かれ、資本金は 2024 年 11 月時点で 1 億円です。トポロジカル物質は従来材料とは根本的に異なる電子構造と量子的特性を持ち、熱、電磁波、化学物質、音など多様な物理現象を捉えるセンサや、物理現象を記憶・制御するデバイスへの応用可能性があると説明されています。同社は、こうした材料が高度な「エネルギー可視化」と「省エネルギー」を可能にし、エネルギー課題の解決につながるとしています。TopoLogic株式会社が開発する磁気メモリ TL-RAM™ は MRAM とトポロジカル反強磁性体を基盤とし、より小さなメモリセルと L3 キャッシュ相当／GPU キャッシュ相当の動作速度を目指す技術です。キャッシュメモリ技術は、同じチップ面積で従来技術の 4x の容量を持つとされ、低電流要件と高速スイッチングによって省エネルギー・高密度のメモリブロック構成を実現し、組み込み MRAM と同様にロジックプロセッサへ直接組み込めると説明されています。TL-RAM™ はトポロジカル物質の異常ホール効果を利用して低消費電力メモリの実現を目指し、従来の磁気メモリが持つ不揮発性、放射線などへの環境耐性、耐久性も維持するとしています。用途として プライマリキャッシュメモリ、従来の DRAM と SRAM の代替メモリ、IoT 機器の 組み込みメモリ、エッジデバイスへの AI 搭載が挙げられ、データセンターなどの消費電力削減も示されています。もう一つの製品である熱流束センサ TL-SENSING™ は、微細な熱異常を 0.01 sec 以内に検知し、従来の熱センサと比べて 100x の応答速度で熱シグネチャを捉えると説明されています。TL-SENSING™ はトポロジカル物質の異常ネルンスト効果を利用し、薄膜構造による高精度な熱検知を実現しながら、既存センサの 1/1000 の膜厚によって搭載製品の設計自由度を保ちやすくします。用途には、バッテリーやパワー半導体部品の異常検出・故障予知、車内・室内の温熱快適性制御、触媒と組み合わせた化学・ガス検知、工場の熱管理・制御・監視、人体モニタリングがあります。高速な熱応答は充電式バッテリーの熱暴走を早期検出してバッテリーシステムの安全性を高める用途にも位置付けられ、迅速な応答が必要なその他の用途にも利用できます。さらに IoT 機器やウェアラブル向けのデュアルヒートシンク QFN パッケージ TL-SENSING™ も紹介しています。2025 年には J-Startup Company に選定され、同年には Japan Venture Awards の中小機構理事長賞受賞と、NEDO の GX 分野ディープテック・スタートアップ向け実用化研究開発・量産化実証支援事業への採択も記載されています。2024 年には Hello Tomorrow Global Challenge 2024 Industrial Biotech & New Materials 部門優勝、大学発ベンチャー表彰のアーリーエッジ賞、複数のスタートアップ支援プログラムでの選定・受賞、総額 7 億円の Series A 資金調達があり。2023 年には CEATEC AWARD 2023 スタートアップ部門準グランプリ、Hello Tomorrow Japan Challenge 2023 Grand Winner、Hello Tomorrow Asia Pacific Challenge 2023 Runner-up、TL-SENSING™ の貸出開始、Deep Tech Pioneers 選定、さらに複数のプログラムでの受賞・ファイナリスト選出が記録されています。2022 年には総額 1.3 億円のシード資金調達を行い、Innovation Leaders Summit と TECH PLANTER Deep Tech Grand Prix などで選定・受賞しています。2026 年には、NEDO GX 分野の大企業等との連携・調達加速化事業への採択、第 38 回中小企業優秀新技術・新製品賞一般部門優秀賞、熊本半導体ベンチャーピッチ優秀賞、2026 APAC Cleantech 25 選出も記載されています。
展示製品
TL-RAM™ は、primary cache、従来の DRAM・SRAM の代替メモリ、IoT 機器の 組み込みメモリ、エッジデバイスへの AI 導入に向けた磁気メモリとして提示され、メモリ関連の消費電力削減を重視しています。MRAM を基盤とする TL-RAM の構造はトポロジカル反強磁性体、より小さなメモリセル、低電流動作、高速スイッチングを組み合わせ、同じチップ面積で容量を高めながら L3 キャッシュ相当または GPU キャッシュ相当の速度を目指します。TL-SENSING™ は微細な熱と異常を高速検知する熱流束センサで、異常ネルンスト効果を利用する薄膜センシング原理、極薄構造、高速応答を組み合わせています。バッテリーシステムでは充電式バッテリーの 熱暴走 をより早期に検知する用途に位置付けられ、半導体関連ではパワー半導体部品の異常検出と故障予知にも利用されます。その他の用途には温熱快適性制御、化学・ガス検知、工場の熱管理、人体モニタリングがあり、IoT やウェアラブルへの組み込みを想定した QFN package 構成も提供しています。
対応領域・製品
- TL-RAM磁気メモリ開発
- 4倍容量キャッシュメモリ技術
- L3/GPUキャッシュ相当動作速度のTL-RAM
- ロジックプロセッサ直接組込みメモリ
- TL-SENSING熱流束センサ
- 0.01秒での熱異常検知
- 二次電池の熱暴走早期検知
- 触媒併用の化学・ガス検知
- トポロジカル材料の研究開発・製造
- トポロジカル材料の研究開発コンサルティング