基本情報
| ブース | T9404 |
| 国 | JP |
| ウェブサイト | www.topologic.jp |
会社概要
TopoLogic は、同じチップ面積で従来技術の 4 倍の容量を実現するキャッシュメモリ技術を開発しています。TopoLogic の TL-RAM は MRAM をベースとしており、セルサイズを小さくしながら、トポロジカル反強磁性体をメモリセルに実装することで L3 キャッシュ相当／GPU キャッシュ相当の動作速度を可能にします。低い電流で動作し高速スイッチングができるため、エネルギー効率に優れた高密度メモリブロックアーキテクチャが実現し、埋め込み MRAM と同じように論理プロセッサへ直接組み込むことができます。TopoLogic はまた、従来の熱センサーと比べて 100 倍の応答速度で熱の兆候を検出できる TL-SENSING も開発しています。これにより充電池の熱暴走を早期に検知でき、バッテリーシステムの安全性を大きく高められます。素早い応答時間が求められる他の用途にも利用できます。
展示製品
MRAMとトポロジカル反強磁性体を用いた高密度キャッシュメモリ技術TL-RAMを開発し、同一チップ面積で従来技術の4倍の容量とL3／GPUキャッシュ相当の動作速度を実現する。さらに、従来の熱センサー比で最大100倍の応答速度を持つ高速熱シグネチャ検出技術TL-SENSINGを開発する。
対応領域・製品
- 超大容量キャッシュメモリ
- 同一チップ面積で4倍の容量
- MRAMベースのTL-RAM
- メモリセルへのトポロジカル反強磁性体の実装
- L3キャッシュ・GPUキャッシュ相当の動作速度
- 低電流かつ高速スイッチング
- ロジックプロセッサへの直接埋め込み
- TL-SENSINGによる熱検知技術
- 従来の熱センサー比100倍の応答速度
- 電池の熱暴走の早期検知