基本資料
| 攤位 | T9404 |
| 國別 | JP |
| 網站 | www.topologic.jp |
公司簡介
TopoLogic 開發的快取記憶體技術，在相同晶片面積下容量是傳統技術的 4 倍。TopoLogic 的 TL-RAM 以 MRAM 為基礎，可縮小單元尺寸，同時藉由將拓樸反鐵磁材料導入記憶單元，達到相當於 L3 快取／GPU 快取的運作速度。低電流需求與高速切換能力，造就節能且高密度的記憶體區塊架構，並可像嵌入式 MRAM 一樣直接嵌入邏輯處理器中。TopoLogic 也開發 TL-SENSING，其偵測熱訊號的反應速度是傳統熱感測器的 100 倍。這讓充電電池的熱失控能被及早偵測，大幅提升電池系統的安全性。它也可用於其他需要快速反應時間的應用。
展出產品
開發 TL-RAM 高密度快取記憶體技術，採用 MRAM 與拓撲反鐵磁材料，可在相同晶片面積下提供較傳統技術高 4 倍的容量，並支援 L3／GPU 快取等級速度。另開發 TL-SENSING 高速熱訊號感測技術，反應速度可達傳統熱感測器的 100 倍。
能力與產品項目
- 超高容量快取記憶體
- 同面積 4 倍容量
- TL-RAM 磁阻式記憶體
- 拓撲反鐵磁記憶單元
- L3/GPU 快取等級速度
- 低電流高速切換
- 可嵌入邏輯處理器
- TL-SENSING 熱感測技術
- 響應速度快 100 倍
- 電池熱失控早期偵測