基本資料
| 攤位 | T9404 |
| 國別 | JP |
| 網站 | www.topologic.jp/en |
公司簡介
TopoLogic Inc. 成立於 2021 年 7 月 15 日，是以拓撲材料技術為核心的深科技新創；公司源自東京大學，並以量子力學為基礎的新材料「拓撲材料」社會實裝為目標。公司與東京大學 Nakatsuji Lab 合作開發元件並與產業公司建立合作關係，並表示希望以拓撲材料解決產業及全球的困難課題，推進永續社會。業務內容涵蓋拓撲材料及其元件的研究、開發、設計、製造與銷售，也包括相關軟體的開發、設計、製造、銷售、維護，以及與拓撲材料相關的業務及研發顧問服務。公司將總部設於東京大學 Entrepreneur Plaza，並在大阪設有開發據點；截至 2024 年 11 月，資本額為 1 億日圓。拓撲材料被描述為具有與傳統材料根本不同的電子結構與量子特性，可望用於感測熱、電磁波、化學物質、聲音等多種物理現象的感測器，也可作為記憶與控制物理現象的元件。公司表示，這類材料可帶來更高層次的「能源可視化」與「節能」，並藉此對應能源相關課題。TopoLogic Inc. 開發磁性記憶體 TL-RAM™，其技術以 MRAM 與拓撲反鐵磁體為基礎，透過較小記憶單元的概念，支援相當於 L3 快取或 GPU 快取的運作速度。其快取記憶體技術被描述為在相同晶片面積下可提供傳統技術 4x 的容量，並利用低電流需求與高速切換能力形成節能、高密度的記憶體區塊架構，可像 嵌入式 MRAM 一樣直接嵌入邏輯處理器。TL-RAM™ 利用拓撲材料產生的異常霍爾效應，朝低耗電記憶體發展，同時維持傳統磁性記憶體的不揮發性、對放射線等環境的耐受性與耐久性。應用方向包括 主要快取記憶體、傳統 DRAM 與 SRAM 的替代記憶體、IoT 裝置中的 嵌入式記憶體，以及在 邊緣裝置 上導入 AI；公司亦將降低資料中心耗電列為用途之一。另一項產品 TL-SENSING™ 是熱流束感測器，公司表示可在 0.01 sec 內辨識細微熱異常，且熱訊號反應速度可達傳統熱感測器的 100x。TL-SENSING™ 採用拓撲材料產生的異常能斯特效應，其薄膜結構可進行高精度熱偵測，膜厚僅為既有感測器的 1/1000，有助於維持被導入產品的設計自由度。應用包括電池與功率半導體元件的異常偵測與故障預測、車內與室內熱舒適控制、搭配觸媒的化學與氣體感測、工廠熱管理與監控，以及人體監測。快速熱反應亦可用於充電式電池熱失控的早期偵測，以提升電池系統安全性，也能用於其他需要快速反應的場景。公司另介紹可供 IoT 設備與穿戴式裝置使用的 雙散熱片 QFN 封裝 TL-SENSING™。2025 年，公司入選 J-Startup Company；公司同年亦獲得 Japan Venture Awards 中小機構理事長賞，以及入選 NEDO GX 領域深科技新創實用化研發與量產化實證支援計畫。2024 年的紀錄包含 Hello Tomorrow Global Challenge 2024 Industrial Biotech & New Materials 部門優勝、Academic Startups Early Edge Award、多項新創支援計畫入選與獎項，以及總額 7 億日圓的 Series A 資金。2023 年則包含 CEATEC AWARD 2023 新創部門準 Grand Prix、Hello Tomorrow Japan Challenge Grand Winner、Hello Tomorrow Asia Pacific Challenge Runner-up、開始 TL-SENSING™ 租借、入選 Deep Tech Pioneers，以及其他新創計畫獎項與決賽入選。2022 年，公司記錄了總額 1.3 億日圓的種子輪資金，並在 Innovation Leaders Summit 與 TECH PLANTER Deep Tech Grand Prix 等新創計畫獲選或獲獎。2026 年另包含入選 NEDO GX 領域大企業與新創合作及採購加速計畫、獲第 38 回中小企業優秀新技術・新製品賞一般部門優秀賞、熊本半導體 Venture Pitch 優秀賞，以及入選 2026 APAC Cleantech 25。
展出產品
TL-RAM™ 是磁性記憶體方案，應用方向包含 primary cache、傳統 DRAM 與 SRAM 的替代記憶體、IoT 設備的 嵌入式記憶體，以及在 邊緣裝置 上部署 AI，並以降低記憶體相關耗電為重點。以 MRAM 為基礎的 TL-RAM 架構導入拓撲反鐵磁體，結合較小的記憶體單元、低電流運作與高速切換，目標是在相同晶片面積中提高容量，同時支援相當於 L3 cache 或 GPU cache 的速度。TL-SENSING™ 是用於高速偵測細微熱與異常的熱流束感測器，結合異常能斯特效應的薄膜感測原理、極薄結構與快速反應。對電池系統而言，TL-SENSING™ 可用於更早偵測充電式電池的 熱失控；半導體相關用途也包含功率半導體元件的異常偵測與故障預測。其他應用包含熱舒適控制、化學與氣體感測、工廠熱管理與人體監測，公司也提供適合 IoT 與穿戴式整合的 QFN 封裝 結構。
能力與產品項目
- TL-RAM磁性記憶體開發
- 4倍容量快取記憶體技術
- L3/GPU快取等效操作速度TL-RAM
- 邏輯處理器嵌入式記憶體
- TL-SENSING熱流束感測器
- 0.01秒熱異常檢測
- 充電電池熱失控早期檢測
- 催化劑搭配化學與氣體檢測
- 拓撲材料研發製造
- 拓撲材料研發顧問服務