基本情報
| ブース | Q6134 |
| 国 | JP |
| ウェブサイト | www.t-microtec.com |
会社概要
3D-IC 製造を専門とするファウンドリです。当社は、お客様の IC チップおよび最大 12 インチの IC ウェーハに TSV、再配線、UBM、バンピングの各技術を適用して 3D-IC を提供しています。また、同じ技術を用いて、Si インターポーザー、異種積層デバイス、チップレットなどの試作サービスも提供しています。コア技術：低コストの 3D-SoC 製造技術。狭ピッチ Au マイクロバンプ接続：当社は、結晶にダメージを与えることなくヘテロジニアス集積を行うため、200 °C 未満の温度でシリコン LSI、化合物半導体、微小電気機械システムデバイスに適用できる汎用性の高い接合技術に注力しています。当社の新しい金（Au）マイクロバンプ技術は、その有力な候補の一つです。当社は、TSV、マイクロバンプ、RDL といった個別技術を組み合わせ、ベースとなる IC チップの性能を損なわないレイアウト設計と集積プロセスにより、3D-IC に最適なソリューションをご提案します。さらに、自己組織化の原理を用いた高精度・超高速の CtW（チップ・ツー・ウェーハ）積層技術や、世界最小ピッチの Au バンプ接合技術といった最先端技術の開発も進めています。
展示製品
TSV、再配線（RDL）、UBM、バンピング技術を最大12インチの顧客ICチップ／ウェハに適用する3D-ICファウンドリサービスを提供。Siインターポーザ、異種積層デバイス、チップレットの試作、微細ピッチAuマイクロバンプ接合、CtW積層技術にも対応する。
対応領域・製品
- 3D-IC製造に特化したファウンドリ
- TSV(シリコン貫通電極)技術
- 再配線、UBM、バンプ技術
- 最大12インチのICウェーハに対応
- Siインターポーザーの試作サービス
- ヘテロ積層デバイスおよびチップレット
- 低コスト3D-SoC製造技術
- ファインピッチAuマイクロバンプ接続
- 200℃未満でのヘテロジニアス集積
- 化合物半導体およびMEMSデバイスの接合
- TSV、マイクロバンプ、RDLを組み合わせた3D-IC設計
- 自己組織化による超高速CtW積層技術