基本資料
| 攤位 | J3255 |
| 國別 | CN |
| 網站 | www.naso-tech.com/About.html |
公司簡介
深圳市納設智能裝備股份有限公司成立於 2018 年 10 月，位於深圳市光明區留學人員創業園，研發、生產並銷售用於第三代半導體碳化矽、新型光伏材料與奈米材料等先進材料領域的高端薄膜沉積設備。產品線包括碳化矽外延設備、原子層沉積設備、科研級客製化 CVD 設備與開放式卷對卷石墨烯製備設備，應用領域包括光伏鈣鈦礦、第三代半導體與二維材料。核心團隊以來自 University of Cambridge 的博士、研究員與資深產業專家為基礎，在薄膜沉積設備等高端裝備及先進材料製造工藝方面具有技術積累。公司於 2020 年被評定為高成長性的「國家高新技術企業」，2024 年獲得國家級專精特新「小巨人」認定，2025 年獲得高端裝備領域「金牛科創企業獎」。公司列有 20+ 年技術沉澱與 100+ 項技術專利。公司亦表示在 CVD、MOCVD、ALD 與 ETCH 等先進半導體製造設備領域具有經驗。
展出產品
碳化矽（SiC）外延系統專用於外延層成長，這是 SiC 晶片製造的核心製程，也是二極體與功率半導體等功率電子元件的重要製造步驟，並相容 200mm / 150mm 晶圓。創新的平面腔體設計被描述為可降低石墨耗材成本，而 5 區氣體入口可獨立調整 C/Si 比例，以進行彈性的製程調校。ALD 系統採用自限性表面化學原理，在高速沉積時維持高薄膜均勻性；其氣體 showerhead 結合高密度孔位配置與專有氣體擴散路徑，以實現均勻且快速的全面表面覆蓋。SKY-P42R05（8”x2）是全自動雙腔碳化矽外延系統，採雙反應腔協同運作並可獨立控制工藝參數，相容 AGV 與天車，NH3、N2、TMAL 模組可自由組合，並通過 SEMI 認證且具備自主知識產權。SKY-P40R02（8”x1）是採水平熱壁技術路線的單腔碳化矽外延系統，配備多區進氣系統，可提升外延片均勻性並降低外延缺陷率；其石墨腔室配件數量較少、結構較簡化，並採特殊進氣與傳片方式以減少外延掉落物。SKY-P40R02 的維護只需打磨平板石墨件，且無需分離傳輸腔即可開啟腔室後端法蘭；5 區進氣可分區獨立控制乙烯與三氯氫矽，各區 C/Si 比可獨立控制，製程中晶圓轉速與高度位置亦可精確調整。SKY-P20R02（6”x1）採水平熱壁技術進行單片式成長，相容 6 英寸與 4 英寸外延片，並被描述為已穩定量產，具有氣路獨立可控、較低耗材成本、較低維護頻次及 NP 型靈活切換等特點。空間型 ALD 系統以物理方式分隔反應區，讓移動中的基板依序通過前驅體 A 區、惰性氣體吹掃區與前驅體 B 區，單次循環即可完成原子層沉積；片內、片間及批次間不均勻性＜±5%，折射率不均勻性＜±3%，並具備 A 源與 B 源氣路獨立、工藝距離可調、源瓶壓力可控、自動傳片及取片、腔體與氣路數量可擴展及支援客戶客製等功能。開放式卷對卷石墨烯製備系統讓聚醯亞胺薄膜、聚酯薄膜等基底與石墨烯前驅材料連續通過輥筒，採用 CVD 或 CVD 衍生技術，將甲烷等前驅材料在惰性氣氛中加熱，再經熱解與沉積形成石墨烯，之後可進行剝離或整合至各種器件。該卷對卷系統用於連續、高效率的大規模石墨烯薄膜生產，支援具有優異電學與物理性能的高品質均勻石墨烯成長，並可調整石墨烯厚度、晶格結構與形貌，以對應電子、光學與能源領域的應用。
能力與產品項目
- SiC 碳化矽磊晶設備
- 原子層沉積設備（含空間式）
- 科研級客製 CVD 設備
- 開放式卷對卷石墨烯薄膜製備設備