基本情報
| ブース | I2022 |
| 国 | TW |
| ウェブサイト | www.oxinst.com |
会社概要
Oxford Instruments は、産業企業と科学研究コミュニティにハイテク製品およびサービスを提供し、より環境負荷の小さい経済、接続性の向上、健康の改善、科学的理解の進展に関わる課題への対応を顧客とともに支援することを中核目的としています。能力は Materials and Characterisation と Research and Discovery などの事業にまたがり、製作、特性評価、イメージング、分析計測、さらに分子・原子レベルの研究環境構築までを含みます。Materials and Characterisation は原子スケールまでのデバイス製作と特性評価を可能にする製品・ソリューションを開発し、Asylum Research は Atomic Force Microscopy、NanoAnalysis はナノメートルスケールの材料評価と試料操作ツールを担当します。Magnetic Resonance は研究と品質管理向けに benchtop NMR spectroscopy と time-domain NMR relaxometry を提供し、WITec は Raman、Atomic Force Microscopy、Scanning Near-field Optical Microscopy を扱います。Research and Discovery では、Andor Technology が学術・産業・政府用途向けの高性能科学デジタルカメラ、顕微鏡システム、分光器を開発・製造し、Imaris は 3D／4D イメージングに重点を置くインタラクティブ顕微鏡画像解析ソフトウェアを開発しています。Plasma Technology はエッチングと成膜のプロセス装置・ソリューション、NanoScience は量子技術、ナノテクノロジー研究、先端材料、ナノデバイス開発向けの希釈冷凍機と超高磁場環境、X-Ray Technology は X 線管、電源、統合 X 線源を提供します。Oxford Instruments の半導体分野は、製作、故障解析、検査、プロセス制御をカバーし、顕微鏡、分光、X 線、成膜、エッチングの各ツールに加え、トレーニング、アプリケーション・製品サポート、スペア、アップグレード、サービス契約を備えています。半導体関連では ROHM Semiconductor の 200 mm GaN デバイス生産、Coherent Corp. の InP 製造、AOI の InP オプトエレクトロニクスデバイス製造に関する取り組みが掲載されています。化合物半導体の量産向けには、半導体デバイスメーカーで使用されるプラズマエッチング・成膜システムを提供し、量産向けのプロセス経験と 24/7 サービス契約を含むグローバルなサービス・サポートで支援します。量産アプリケーションは 2D Materials、Augmented Reality、Biomedical Devices、Failure Analysis、HBLEDs、MEMS & Sensors、Infrared Sensors、Lasers、MicroLEDs、Power Devices、Quantum Technology、RF Devices、VCSELs に及びます。
展示製品
半導体向けには、GaN パワーデバイスを含む先端デバイスの大規模製造用 high-throughput Atomic Layer Deposition（ALD）システムがあり、均一性、コンフォーマリティ、低いウエハ当たりコストを重視しています。多用途のプラズマエッチング、成膜、Atomic Layer Etching（ALE）プラットフォームは、InP／GaAs オプトエレクトロニクス、GaN／SiC パワーデバイス、microLED、センサー、MEMS の量産プロセスを支え、プロセス制御と均一性による一貫した結果を狙います。Ion Beam Etching と Ion Beam Deposition は斜め格子・ブレーズドグレーティング加工に利用でき、open load、single-substrate load lock、cassette-to-cassette の構成と、用途別に調整した仕様を用意します。Energy Dispersive Spectroscopy システムは半導体デバイスのプロセス監視、品質管理、故障解析向けに元素分析と mapping を行います。さらに、試料前処理なしで多様な材料やライフサイエンス用途を分析する、非破壊・ラベルフリーの高スペクトル／空間分解能 chemical characterisation も含まれます。III-V レーザー製造では InP、GaAs／AlGaAs などをプラズマ処理し、PECVD、ICP Etching、RIE を使って InP laser と VCSEL の masking、passivation、mesa、isolation 工程を支援します。InP laser プロセスは高周波動作部品に対応し、光ファイバー通信に適する到達波長範囲として 1100～2000 nm が示されています。VCSEL 製造は 3D sensing を含む用途で電気光学性能と歩留まりを対象とします。VCSEL 構造には、滑らかな側壁と各層でのノッチ抑制を狙う非選択 GaAs／AlGaAs エッチング、ultra-low-footing プロセスと完全自動 endpoint control による高精度 mesa 深さ制御が含まれます。関連システムには PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE Etch、PlasmaPro 100 PECVD、Atomfab ALD、FlexAL ALD、PlasmaPro 100 RIE、PlasmaPro 100 Polaris ICP RIE があります。microLED 製造ではエッチング、ALE、ALD、ion-beam 技術を組み合わせ、PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE Etch、PlasmaPro 100 ALE、Atomfab ALD、Ionfab Ion Beam が挙げられます。microLED は高輝度、高コントラスト、高ダイナミックレンジ、低消費電力という特性を持つ用途として説明されています。Augmented Reality デバイス向けには ICP Etching、RIE、Ion Beam Etching で最大 200 mm のウエハを量産処理でき、mask etching と AR coating module 用の真空搬送ロボットを用いた cluster configuration も可能です。PlasmaPro 100 process module は 200 mm プラットフォームで single-wafer と multi-wafer batch に対応し、高スループット、高精度、優れた均一性と滑らかな垂直形状・エッチ面を提供し、GaAs／InP laser optoelectronics、microLED／metalens、SiC／GaN power electronics／RF、MEMS／sensor を支えます。Ionfab IBE は 200 mm ウエハの均一性に合わせて構成され、独自 ion-beam 技術と grid design で標準 45° グレーティングを高精度に形成し、Si や SiO2 を処理できます。Wide Bandgap 分野は SiC／GaN power device と RF device を対象とし、高出力・高周波用途に関係します。GaN HEMT の用途として electric car と base-station communication が示されています。2D material 製造は graphene、MoS2、hBN、WS2 を含み、FET、battery、filter などの用途と CVD／ALD プロセスを扱います。PlasmaPro 100 Nano CVD／PECVD はナノ構造材料とシリコン系薄膜の高温成膜向けで、基板電極は 1200˚C まで加熱でき、showerhead ガス導入、固体／液体 precursor delivery、自動 load lock、低温成膜や conversion、functionalisation、chamber cleaning 用の plasma enhancement option を備えます。ALD は原子層単位の膜厚精度、最大 200 mm ウエハで典型値 <±2% の均一性、高アスペクト比構造での step coverage、highly-conformal coating、低 pin-hole／particle、low-damage／low-temperature process、reduced nucleation delay、幅広い材料・プロセスをカバーします。半導体故障解析では Atomic Force Microscopy に scanning microwave impedance microscopy、Kelvin probe force microscopy、conductive AFM を組み合わせ、I-V curve から 1014 atoms/cm3 までの dopant concentration map を解析でき、Cypher と MFP-3D が利用されます。試料作製は通常 1 試料 30 分未満の再現性ある処理が求められ、3 または 5 nm node では 20 nm 未満の試料厚さが必要とされます。OmniProbe 400 は piezo-driven motion により 10 nm スケールの再現位置決めを行い、concentric rotation で高度な作製形状を実現します。Die deprocessing では plasma-assisted etch tool が oxide、nitride、polymide を metallisation の浮きや損傷を避けて除去し、flexible FA tool は従来工程より最大 10 倍高速な die deprocessing を実現します。Ultim Extreme EDS は SEM 観察条件で bulk semiconductor device の 10 nm 分解能元素情報を取得し、Ultim Max TEM detector は AZtecTEM により高分解能定量分析を行います。Magnetic-force microscopy は disk media や他の磁性デバイスの磁区構造を直接観察し、MFP-3D Infinity AFM と variable-field module は記録 bit や read/write transducer の解析に使われます。検査・プロセス制御では thin film の nanoindentation、MFP-3D／Cypher family の AFM による nanoscale electrical characterisation、AZtecFeature workflow による大面積中の多数粒子検出・解析を提供します。デバイス製造ポートフォリオは RIE、ICP RIE、IBE、ALE のプラズマエッチングと PECVD、ICP CVD、CVD、IBD、ALD の成膜を中心に、Etchfab、Depfab、Ionfab、Atomfab の技術群で構成されます。化合物半導体の量産システムは volume manufacturing 向けで、プラズマエッチングと成膜について combined experience が 500 年超とされています。生産システムには 200 mm と multi-wafer batch processing があり、複数技術で均一性、高スループット、低 Cost of Ownership を狙います。量産用途は VR から electric vehicle まで広がり、laser、microLED、power device、RF device、sensor 技術にもつながります。サポートには service support package、process solution、remote support、upgrade & software、spares、さらに Introductory、Intermediate、Advanced、Specialist Module の technical training が含まれます。製品リストには Cypher VRS1250 high-speed AFM、Jupiter XR AFM、Ultim Extreme、Ultim Max、PlasmaPro 800 RIE、PlasmaPro 80 ICP RIE、Symmetry S3、iX05、NMT04、i04、Jupiter 5000 Series Radiation Shielded X-ray Tube、AZtecOne、C-RED 3、CB1 UV、Wave Spectrometer、AZtecWave も含まれます。
対応領域・製品
- 原子間力顕微鏡製造
- 卓上型 NMR・TD-NMR 緩和測定
- Raman・AFM・走査型近接場光学顕微鏡
- 科学デジタルカメラ・顕微鏡・分光器
- 3D/4D 顕微鏡画像解析ソフトウェア
- 希釈冷凍機・超高磁場環境
- X 線管・電源・統合 X 線源
- 高スループット原子層堆積 ALD システム
- プラズマエッチング・成膜・ALE プラットフォーム
- イオンビームエッチング IBE
- エネルギー分散型分光 EDS システム
- 非破壊・ラベルフリー化学特性評価
- ナノインデンテーション機械特性評価