기본 정보
| 부스 | R7324 |
| 국가 | FR |
| 웹사이트 | www.ion-beam-services.com |
회사 소개
IBS - Ion Beam Services는 1987년에 설립되었으며 프랑스 Marseille와 Aix-en-Provence 사이의 Peynier에 본사를 둔 Ion Implanter Original Equipment Maker(OEM)로, 전 세계 반도체 산업에 이온 주입 서비스와 e-chuck(ESC), ion source 업그레이드를 포함한 이온 주입 장비 서비스를 제공합니다. 솔루션은 High-Volume Manufacturing(HVM)과 혁신 기반 R&D를 모두 대상으로 하며 이온 주입 장비, 공정 지식, 고객 지원을 결합합니다. IBS - Ion Beam Services는 주류 반도체 제조뿐 아니라 SiC 및 GaN 와이드밴드갭 반도체, Hydrogen splitting 기반 SOI 웨이퍼 제조, 양자 기술용 NV center를 포함한 Photonics, Sensors, MEMS 응용을 지원합니다. 이온 주입 장비는 샘플부터 12인치까지의 웨이퍼를 처리하고 Si, SiC, GaN, GaAs, InP, LNO, LTO 재료를 지원하며 고온, 극저온, 고체 전구체용 vaporizers, 초저선량 및 초고선량 모니터링 옵션을 제공합니다. 주입 경험은 주기율표의 대부분 원소를 포괄하며 Boron, Phosphorous, Arsenic 같은 표준 도펀트와 Aluminum, Magnesium, Beryllium을 포함합니다. IBS - Ion Beam Services는 유럽, 북미, 아시아에 설치 실적이 있으며 IDM, 파운드리, 학술 및 연구 기관에 서비스를 제공합니다. 기술 파트너에는 TSMC, TSRI 및 기타 대만 기업과 R&D 기관이 포함됩니다.
전시 제품
IBS - Ion Beam Services는 프랑스와 영국의 두 생산 시설을 상호 백업으로 운영하며 2인치부터 12인치 직경의 양산 기판과 맞춤형 형상, 두께, 재료를 위한 이온 주입 및 전체 공정 제조 라인 서비스를 제공합니다. Beamline implantation services는 fabless, 이온 주입기가 없는 사용자 또는 추가 생산 능력이 필요한 사용자를 위한 표준 생산 처리를 CapEx-heavy 투자 없이 제공하고, 고장, temporary overlay, 웨이퍼 크기 업그레이드 백업과 제품 개발, 시험, 평가용 R&D 공정에서 다양한 기판, 형상, 특수 종, 온도, 각도를 지원합니다. SiC 주입은 실온부터 +600 °C, 샘플부터 6인치 웨이퍼까지 지원하며 Si, B, Al, N, C, P 등의 종, 5에서 400 keV의 에너지 범위, 전용 SiC 이온 주입 시뮬레이션을 제공합니다. PULSION® Plasma Immersion Ion Implant services는 AsH3, PH3, BF3, B2H6 도핑 종과 Ar, H2, He, CH4, SiH4, SiF4, Al, CF4, C2H2 재료 개질 종을 지원하며 샘플부터 300 mm 웨이퍼, 중간부터 고선량, 50 V에서 20 kV 가속 전압을 다룹니다. PIII 공정은 conformal 3D doping, PIII와 laser annealing 조합, 실온 도핑, 정밀 제어된 어닐링 및 확산 깊이, 10 nm에서 15 nm 접합 깊이, backside implantation 및 power components 응용을 지원합니다. Plasma immersion 기능에는 전체 웨이퍼 동시 주입, 3D conformal implantation, 30 eV까지의 초저에너지, hot implantation, 태양전지 제조, 평면부터 3D 구조까지의 표면 처리도 포함됩니다. 2인치부터 12인치까지 처리 가능한 웨이퍼 유형에는 Si, Si thin wafers, Taiko wafers, SiC, GaN, InP, GaAs, InSb, HgCdTe, LiNbO3, Sapphire, Diamond, Quartz가 포함됩니다. Turnkey 및 공정 개발 작업에는 gamma dosimeters와 photodiodes 같은 방사선 센서, CHEMFET 화학 센서, PT100 열 센서, 기계 센서, 저항과 커패시터, 군사용 2,4 kV Si Mosfet, 정적 회로 차단기용 1 kV Bipolar 소자, 3,3 kV IGBT 같은 전력 부품이 포함됩니다. SiC 소자 제조를 위해 IBS - Ion Beam Services는 inorganic masking 및 hot implantation, 고온 implant annealing, plasma etching, metallization용 fast annealing 공정 블록을 제공합니다. 부품 개발 지원에는 SILVACO software를 사용한 process simulation, process integration, electrical simulations, mask design이 포함되며 생산 라인은 2인치부터 6인치 호환 시스템을 갖춥니다. 특성 평가 기능에는 온라인 mechanical profilometer, optical thickness measurement, sheet resistance와 prober, D-SIMS, ToF-SIMS, Micro Auger, XPS, dual-beam FIB, TEM, IR Thermography, laser decapsulation을 통한 물리 및 결함 분석, 오프라인 layer thicknesses 및 morphology, Optical 3D Profilometer, Micro Raman, AFM Veeco, SEM이 포함됩니다. 단일 공정부터 완제품까지의 처리는 PVD(Sputtering)와 PECVD 박막 증착, thermal oxidation과 diffusion, RTA annealing, wet chemical 및 dry RIE etching, photolithography를 포함합니다.
역량 및 제품
- 이온 주입기 OEM 제조
- 이온 주입 서비스
- 이온 주입기 서비스·업그레이드
- 2–12인치 기판 이온 주입
- SiC 고온 이온 주입(최대 600°C)
- 플라즈마 침지 이온 주입 서비스
- SILVACO 공정 시뮬레이션 서비스
- PVD(Sputtering) 박막 증착 파운드리 서비스
- PECVD 박막 증착 파운드리 서비스
- 열산화·확산 파운드리 서비스
- RTA 어닐링 파운드리 서비스
- 습식 화학 식각 파운드리 서비스
- 건식 RIE 식각 파운드리 서비스
- 포토리소그래피 파운드리 서비스
- Micro Raman 분석 서비스
- AFM 분석 서비스
- SEM 분석 서비스