基本資料
| 攤位 | R7324 |
| 國別 | FR |
| 網站 | www.ion-beam-services.com |
公司簡介
IBS - Ion Beam Services 成立於 1987 年，總部位於法國 Peynier，介於 Marseille 與 Aix-en-Provence 之間，是離子植入機原廠製造商（OEM），並為全球半導體產業提供離子植入服務與離子植入機服務，包括 e-chuck（ESC）與 ion source 升級。其方案同時面向 High-Volume Manufacturing（HVM）與創新型 R&D，結合離子植入工具、製程知識與客戶支援。IBS - Ion Beam Services 支援主流半導體製造，以及 SiC 與 GaN 寬能隙半導體、以 Hydrogen splitting 進行 SOI 晶圓製造、包含量子技術 NV center 的 Photonics、Sensors 與 MEMS 等應用。其離子植入機可處理從樣品到 12 吋的晶圓尺寸，材料包括 Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LNO 與 LTO，並提供高溫、低溫、固態前驅物用 vaporizers、極低劑量與極高劑量監控等選項。其植入經驗涵蓋元素週期表中的大多數元素，包括 Boron、Phosphorous、Arsenic 等標準摻雜元素，以及 Aluminum、Magnesium、Beryllium。IBS - Ion Beam Services 的設備分布於歐洲、北美與亞洲，服務整合元件製造商（IDM）、晶圓代工廠以及學術與研究機構。其技術合作夥伴包括 TSMC、TSRI 與其他台灣公司及研發機構。
展出產品
IBS - Ion Beam Services 在法國與英國的兩座生產設施可相互備援，提供離子植入與完整製造產線服務，可處理 2 吋到 12 吋直徑基板的量產，以及客製形狀、厚度與材料。Beamline implantation services 包含供 fabless、無離子植入機使用者或需要額外產能者採用的標準量產製程，可避免 CapEx-heavy 投資，並提供故障、臨時產能疊加與晶圓尺寸升級的備援，以及產品開發、測試與評估用 R&D 製程，可處理各種基板、形狀、特殊離子、溫度與角度。SiC 植入涵蓋室溫至 +600 °C、樣品至 6 吋晶圓，離子種類包含 Si、B、Al、N、C、P 等，能量範圍為 5 至 400 keV，並提供專用 SiC 離子植入模擬。PULSION® Plasma Immersion Ion Implant services 支援 AsH3、PH3、BF3、B2H6 等摻雜物種，以及 Ar、H2、He、CH4、SiH4、SiF4、Al、CF4、C2H2 等材料改質物種，可處理樣品至 300 mm 晶圓、中至高劑量，以及 50 V 至 20 kV 加速電壓。PIII 製程支援 3D conformal doping、PIII 與 laser annealing 組合、室溫摻雜、精確控制退火與擴散深度、10 nm 至 15 nm 接面深度，以及背面植入與功率元件等應用。Plasma immersion 能力也包含全晶圓同步植入、3D conformal implantation、低至 30 eV 的超低能量、hot implantation、太陽能電池製造，以及從平面到 3D 結構的表面處理。可處理的 2 吋至 12 吋晶圓類型包含 Si、Si 薄晶圓與 Taiko wafers、SiC、GaN、InP、GaAs、InSb、HgCdTe、LiNbO3、Sapphire、Diamond 與 Quartz。Turnkey 與製程開發工作包含 gamma dosimeters 與 photodiodes 等輻射感測器、CHEMFET 化學感測器、PT100 熱感測器、機械感測器、電阻與電容，以及 2,4 kV 軍事應用 Si Mosfet、1 kV 靜態斷路器用 Bipolar 元件與 3,3 kV IGBT 等功率元件。針對 SiC 元件製造，IBS - Ion Beam Services 提供 inorganic masking 與 hot implantation、高溫植入退火、plasma etching 與 metallization 用 fast annealing 等製程模組。元件開發支援包含使用 SILVACO software 的製程模擬、process integration、electrical simulations 與 mask design，其生產線包含相容 2 吋至 6 吋的系統。量測與分析能力包含線上 mechanical profilometer、optical thickness measurement、sheet resistance 加 prober，D-SIMS、ToF-SIMS、Micro Auger、XPS、dual-beam FIB、TEM、IR Thermography、laser decapsulation 等物理與缺陷分析，以及離線 layer thicknesses 與 morphology、Optical 3D Profilometer、Micro Raman、AFM Veeco 與 SEM。從單一步驟到完整產品的製程包含 PVD（Sputtering）與 PECVD 薄膜沉積、thermal oxidation 與 diffusion、RTA annealing、wet chemical 與 dry RIE etching，以及 photolithography。
能力與產品項目
- 離子植入機 OEM 製造
- 離子植入代工服務
- 離子植入機服務與升級
- 2–12 吋基板離子植入
- SiC 高溫離子植入(最高600°C)
- Plasma Immersion Ion Implant 服務
- SILVACO 製程模擬服務
- PVD(Sputtering) 薄膜沉積代工服務
- PECVD 薄膜沉積代工服務
- 熱氧化與擴散代工服務
- RTA 退火代工服務
- 濕式化學蝕刻代工服務
- 乾式 RIE 蝕刻代工服務
- 光微影代工服務
- Micro Raman 分析服務
- AFM 分析服務
- SEM 分析服務