基本資料
| 攤位 | R7324 |
| 國別 | FR |
| 網站 | www.ion-beam-services.com |
公司簡介
IBS,賦能半導體的未來。IBS 很高興宣布將於法國館參加 SEMICON Taiwan 2025。IBS 成立於 1987 年,總部位於法國 Peynier(介於馬賽與艾克斯普羅旺斯之間),是離子植入機的原始設備製造商(OEM),同時也為全球半導體產業提供離子植入服務與離子植入機服務(靜電吸盤(ESC)、離子源升級等)。今日,IBS 已準備好成為策略性技術夥伴,以高效能設備、深厚的製程知識與即時的客戶支援,提供同時滿足大量生產(HVM)與創新導向研發需求的次世代解決方案。IBS 提供的解決方案兼顧主流半導體製造與新興應用,例如 SiC 與 GaN 等寬能隙半導體(WBG)、晶圓製造(SOI 晶圓的氫離子剝離)、光子學(量子技術用的 NV 色心等)、感測器與 MEMS。IBS 的離子植入機具備高度彈性,可處理從樣品到 12 吋的各種晶圓尺寸,支援廣泛的材料,包括 Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LNO、LTO 等;憑藉穩固的基礎機型與多種選配(高溫、低溫、固態前驅物汽化器、極低劑量與極高劑量監控),可因應任何製程需求。多年來,IBS 已對元素週期表上大多數的元素進行過植入,我們的專家不僅能協助您植入硼、磷、砷等標準摻雜物,也能處理鋁、鎂或鈹等較特殊的元素。IBS 在歐洲、北美與亞洲皆設有據點,服務整合元件製造商(IDM)與晶圓代工廠,以及學術與研究機構。IBS 已是 TSMC、TSRI 及許多台灣企業與研發機構獲得驗證的技術夥伴!
展出產品
提供離子植入機、離子植入服務，以及靜電吸盤（ESC）、離子源升級等離子植入機服務。離子植入設備可處理樣品至 12 吋晶圓，支援 Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LNO、LTO 等材料，並可配置高溫／低溫、固態前驅物蒸發器及極低／極高劑量監控。
能力與產品項目
- 離子佈植機原廠設備製造
- 離子佈植代工服務
- 靜電夾盤與離子源升級
- SiC 與 GaN 寬能隙應用
- 樣品至 12 吋晶圓尺寸
- Si SiC GaN GaAs InP 材料支援
- 高溫低溫佈植製程選項
- 硼磷砷等摻雜物佈植
- 台積電與 TSRI 技術夥伴
- SOI 晶圓氫氣剝離製程