기본 정보
| 부스 | N0982 |
| 국가 | US |
| 웹사이트 | www.forgenano.com |
회사 소개
Forge Nano는 원자 수준의 정밀도를 대규모로 구현해 핵심 인프라를 강화할 수 있다는 전제에서 기술 플랫폼을 구축했으며 핵심 시스템의 요구 조건으로 성능, 안전성, 신뢰성을 제시합니다. Atomic Armor™ 플랫폼은 특허받은 ALDˣ 아키텍처를 기반으로 하며 에너지, 국방, 첨단 기술에 걸쳐 적용할 수 있는 확장 가능하고 적응 가능한 기술로 설명됩니다. AI 하드웨어에서 Forge Nano는 열 불안정성, 누설, 계면 결함을 물리적 한계로 보고 소재 개선을 더 높은 와트당 성능, 더 신뢰성 높은 고밀도 로직, 열 열화 감소, 낮은 결함률, 더 긴 하드웨어 수명과 연결합니다. 반도체에서는 Atomic Armor가 결함을 완화하고 오염을 줄이며 계면 품질을 향상해 트랜지스터 스케일링과 차세대 아키텍처를 제한하는 요인에 대응합니다. Atomic Armor가 적용된 리튬이온 셀은 더 높은 에너지 밀도, 더 높은 안전성, 더 긴 사이클 수명을 제공하며 미국 중심 공급망을 통해 미국에서 생산되는 것으로 설명됩니다. 국방 및 항공우주 분야에서 Forge Nano는 Atomic Armor innovations를 더 가볍고 강력한 항공기, 드론, 우주선, 지향성 에너지 시스템과 연결합니다. 양자 소자에서는 Atomic Armor™가 코히어런스 시간, 충실도, 수율을 제한하는 표면 및 계면 불안정성에 대응하며 더 강력한 qubits, 칩당 더 많은 qubits, 더 긴 코히어런스, 더 낮은 오류율, 확장 가능한 제조를 효과로 제시합니다. Forge Nano는 U.S. Department of Defense 시험을 위해 배터리 소재를 전부 미국에서 조달한 18650 리튬이온 셀을 개발하고 있으며 높은 용량과 에너지 밀도를 갖고 사이클 수명 및 작동 온도 요구를 충족하도록 설계합니다. North Carolina gigafactory는 국방, 항공우주, 그리드 저장, 첨단 모빌리티 시장을 위해 100% 미국 내 리튬이온 셀 대량 생산을 목표로 하며 $100M U.S. Department of Energy grant 지원을 받고 독자 Atomic Armor™ 기술을 사용합니다. Forge Nano는 초박막 원자 수준 정밀 코팅을 적용하는 반도체 웨이퍼 제조 장비와 배터리, 촉매, 제약, 첨단 복합재료용 분말 및 입상 소재를 정밀하고 균일하게 코팅하는 Powder ALD equipment도 개발합니다.
전시 제품
Forge Nano는 Atomic Armor™를 특허받은 ALDˣ 아키텍처 기반의 산업 규모 원자 수준 소재 플랫폼으로 제시하며 열 불안정성과 표면 열화에 대응하고 더 빠른 충전 배터리, 결함 없는 반도체 수율, 고강도 구조 부품을 제공한다고 설명합니다. AI 가속기에서는 하드웨어 성능을 제한할 수 있는 열 불안정성, 누설, 계면 결함을 대상으로 합니다. 반도체 응용에서 Atomic Armor™는 더 깨끗한 계면, 더 엄격한 공차, 더 높은 내구성을 갖는 나노 스케일 코팅을 제공해 AI, 국방, 차세대 시스템용 소자를 지원합니다. 반도체 솔루션은 결함, 오염, 불안정한 계면, 열 불안정성, 복잡한 소자 아키텍처에서 요구되는 더 엄격한 공정 제어에 대응합니다. 제시된 적용 효과에는 더 깨끗한 계면, 더 적은 결함, 열 안정성, 더 높은 신뢰성, 더 엄격한 공차, 더 나은 수율이 포함되며 Atomic Armor™는 핵심 소재층을 강화하고 첨단 아키텍처를 안정화합니다. RF 및 전력 소자의 back-of-the-line 공정에서 ALD는 봉지층에 사용될 수 있으며, 기존 PECVD와 비교해 표면 손상 위험 없이 장벽 특성을 제공하는 고밀도 pinhole-free 막을 증착한다고 설명됩니다. TEPHRA는 200mm 이하 웨이퍼의 specialty semiconductor applications용으로 설계되며 100x efficient chemical use, 빠른 cycle times, 수율 향상, 상업적 throughput의 single-wafer cluster operation을 제공합니다. Forge Nano의 semiconductor ALD systems는 특허받은 ALDˣ 아키텍처로 복잡한 웨이퍼 형상에 초균일하고 conformal한 Atomic Armor™ 코팅을 형성해 계면을 안정화하며 R&D에서 양산까지 dielectric layers, passivation layers, barrier seed layers, 차세대 소자층을 지원합니다. 웨이퍼 시스템은 웨이퍼 내 막 두께 불균일, 열 및 전기 스트레스에 따른 계면 열화, 고종횡비 구조의 conformity, R&D recipe를 생산으로 확장할 때 필요한 정밀하고 반복 가능한 cycle-to-cycle 제어 등의 과제를 대상으로 합니다. ALDˣ는 고속 공급과 atomic-layer precision을 결합해 계면을 안정화하고 변동성을 줄이며 high uniformity, perfect conformity, stable interfaces, repeatable cycles, tighter tolerances, scalable throughput을 제공합니다. TEPHRA™는 고용량 제조 cluster로 기존 ALD systems 대비 10x Throughput, precursor chemical utilization의 100x Efficiency, 4/6/8 Sided 모듈형 cluster configurations를 갖습니다. TEPHRAOne™은 완전 자동화된 200mm single-module process-qualification platform으로 최대 200mm single-wafer automation, 전체 cluster tools로의 100% Recipe Transfer, 고속 동적 협조 제어를 위한 SMFD-ALD를 지원합니다. THEIA™는 현장 업그레이드 가능한 R&D-to-production 플랫폼으로 재료 탐색과 pilot validation을 위해 75mm에서 200mm substrate를 처리하고 최대 100 Å/minute 증착 속도와 100 million 정격의 독자 fast pneumatic valves를 사용합니다. advanced packaging에서는 thermal ALD seed and barrier layers가 고종횡비 Cu fill, 2.5D/3D integration, 향상된 interconnect performance를 지원합니다. photonics에서는 conformal passivation과 gap-fill films로 optical interfaces를 개선하고 소자 수명을 늘리며 PICs, microLEDs, 고정밀 photonics platforms에서 소재 일관성을 향상합니다. RF devices에서는 GaAs, GaN 및 기타 wide-bandgap devices용 dielectric 및 passivation layers를 설계해 breakdown strength, thermal reliability, 장기 내구성을 높입니다. power devices와 advanced logic 또는 memory용 포트폴리오에는 ALD dielectrics, interface layers, high-k films, passivation films가 포함되며 breakdown strength, thermal stability, lifetime, uniform coverage, low defect density, stable interfaces를 목표로 합니다. Forge Nano의 Powder ALD platforms는 분말과 입상 소재에 산업 규모의 원자 수준 정밀도를 적용해 산화, 습기 및 화학 공격, 불완전한 차폐, 미세 분말의 낮은 유동성, 대량 생산에서 요구되는 반복 가능한 cycle-to-cycle 성능에 대응합니다. Atomic Armor™ 분말 처리는 reactive bulk materials에 hermetic encapsulation, interface stabilization, rheological optimization, maximized active sites, nano-precision shells, defect passivation을 제공합니다. LITHOS™는 rotary batch architecture로 batch당 1,000+ kg을 처리하고 10,000 kg/day까지 확장할 수 있으며 99% precursor utilization과 24/7 production용 완전 통합 inert loading/unloading을 제공합니다. PROMETHEUS™는 실험실 탐색과 산업 pilot production 사이를 연결하며 single gram에서 20kg batches를 지원하고 cohesive 및 sensitive nano-powders용 독자 Jet Assist Technology와 최대 350°C manifold 및 reactor heating을 제공합니다. PANDORA™는 milligram-to-gram research용 100ml rotary reactor로 연속 회전을 통한 360° particle exposure, 최대 8 independent precursor inlets, gas, liquid, solid precursor chemistries 호환성을 제공합니다. battery materials에서는 powder coatings가 capacity fade와 thermal runaway를 일으키는 표면 불안정성을 대상으로 하며 cycle life를 연장하고 next-generation anodes and cathodes의 ultra-fast charging을 지원합니다. advanced catalysis에서는 active sites의 atomic-layer control로 selectivity를 극대화하고 catalyst poisoning을 억제하며 reactivity를 희생하지 않고 고가 precious-metal loading 필요량을 줄입니다. specialized metallurgy에서는 hermetic shielding으로 additive manufacturing 및 defense용 metal powders를 oxidation과 moisture uptake로부터 보호합니다. defense and propulsion에서는 reactive powders and energetics용 engineered barriers로 shelf-life stability를 개선하고 burn rates를 조정해 더 안전하고 예측 가능한 field performance를 제공합니다. polymers and pigments에서는 functional shells를 통해 UV stability, dispersion, durability, molecular-level rheology를 개선합니다.
역량 및 제품
- 고처리량 회전 배치식 분말 ALD 장비 공급
- 파일럿 규모 분말 ALD 장비 공급
- 코팅 및 전구체 스크리닝용 연구개발 분말 ALD 장비 공급
- 반도체 웨이퍼 양산용 ALD 클러스터 장비 공급
- 최대 200mm 웨이퍼용 자동화 단일 모듈 ALD 장비 공급
- 75mm~200mm 기판용 연구개발 및 파일럿 웨이퍼 ALD 장비 공급
- 첨단 패키징용 열 ALD 시드층 및 배리어층
- 포토닉스용 ALD 패시베이션막 및 갭필막
- RF 소자용 ALD 유전체층 및 패시베이션층
- 전력 반도체 소자용 ALD 유전체층 및 계면층
- 로직 및 메모리 소자용 고유전율 및 패시베이션 ALD 박막
- 배터리 음극재 및 양극재용 ALD 표면 코팅
- 촉매용 원자층 표면 코팅
- 금속 분말용 보호 표면 코팅
- 폴리머 및 안료용 기능성 쉘 코팅
- 의약품 및 첨단 복합소재용 분말 ALD 장비 공급
- 리튬이온 배터리 셀 제조