基本資料
| 攤位 | M0948 |
| 國別 | CH |
| 網站 | www.evatecnet.com |
公司簡介
Evatec AG 為先進封裝、半導體、光電與光子學提供薄膜生產解決方案。公司依客戶產能、製程需求與晶圓廠整合需求提供批次式、群集式與線內式鍍膜系統。Evatec 的 source 設計結合 Advanced Control（APC）技術，可在鍍膜週期中原位控制膜層特性。新一代 HEXAGON 面向 fan-out wafer-level packaging（FOWLP）與 Wafer Level Chip Scale（WLCSP），並提供更多製程能力、更高彈性與更高產能。其薄膜解決方案亦涵蓋 SiC 與 GaN 寬能隙功率應用，以及 Augmented Reality、Edge Emitting Lasers（EELs）與 MicroLED 的精密光學層。針對先進 IC 載板的 Through Glass Via（TGV），Evatec AG 提供晶圓級與面板級均具黏著性的種子層沉積。
展出產品
Evatec AG 提供先進蒸鍍與濺鍍技術，高效能 PVD source 支援先進封裝、半導體、光電與光子學應用。蒸鍍技術與製程專業涵蓋 BAK Family 與部分 cluster tools，累積超過50年經驗，起源可追溯至最初的 Balzers BAK 電子束蒸鍍平台。現代 BAK 平台加入數位電子束槍技術，以及 barrel sources、effusion cells 等專用熱源，可搭配手動或全自動上下料及標準或 extended throw 配置。薄膜特性可透過離子束緻密化或結合電漿聚合製程實現，並以石英或光學監控支援高精度與可靠度。磁控濺鍍產品包括金屬濺鍍用 DC、反應式與能量控制濺鍍用 DC Pulsed、離子化濺鍍用 DC High Current Pulsed、介電材料濺鍍用 RF，以及能量控制濺鍍用 DC+RF。線性平面磁控源用於 LLS EVO 等批次旋轉滾筒設備，具長靶材壽命與多種靶材選擇，可實現原子尺度材料混合，並可沉積磁性元件等應用所需的各向異性薄膜。圓形平面磁控源可搭配 CLUSTERLINE® 200 等旋轉工作台平台、SOLARIS® 等旋轉基板平台、HEXAGON 等基板 indexing 工具，以及 CLUSTERLINE® 200 與 300 等 cluster tools。CLUSTERLINE® 平台的 Facing Target Cathode（FTC）技術可在 GaN 等敏感材料上進行低損傷 TCO 沉積，並在搭配 Evatec hot chuck 技術時支援 BTO 與 LNO 的準磊晶成長。Multisource 濺鍍技術可在單一製程法蘭整合最多4個較小濺鍍源，用於合金與化合物共濺鍍，並在 CLUSTERLINE® 平台支援新材料組成開發與量產。PVD 平台涵蓋批次式、群集式與全自動線內式系統，可依製程、產能與工廠整合需求選擇平台。BAK FAMILY 的蒸鍍機尺寸從0.5到1.4公尺，提供電子束蒸鍍與熱源技術；Multi BAK 可在大氣前端模組周圍整合最多4個 BAK 製程腔體，並以機器人進行全自動 cassette-to-cassette 操作。CLUSTERLINE® 200 是全自動200mm cassette-to-cassette cluster platform，具單片或批次模組，可進行 sputter、etch、PECVD 與 PEALD；CLUSTERLINE® 300 則是全自動300mm cluster platform，提供 sputter 與 etch。CLUSTERLINE® 600 是用於 FOPLP 與下一代 IC 載板的先進封裝設備，支援最大650x650mm尺寸，整合大面積 degas、etch 與 sputter。HEXAGON 是300mm先進封裝專用平台，面向 FOWLP 等應用，提供客製化 degas、etch 與 sputter 技術。LLS EVO II 是可在不同基板尺寸間切換的垂直批次濺鍍平台，面向中等產量生產並支援手動或機器人上下料。SOLARIS® FAMILY 提供高速線內濺鍍平台，可整合全自動 fab，兩種尺寸支援對角線最大8或15英吋的基板格式。CLUSTERLINE® 200 亦可搭配 Evatec PEALD，公司列出的重點包括共形性、精準膜厚控制與重複性。BAK 941 配置可在 cluster 架構中整合最多4台工具，並提供完整前端自動化，用於無線通訊應用。PVD 開發範圍亦包括低損耗 CMOS 相容氮化矽光子學用反應式濺鍍薄膜，以及高濃度 Al(1-x)Sc(x)N 薄膜製程。在 FBAR 相關沉積方面，頁面亦列出受控應力的鉬與釕電極沉積，以及 CLUSTERLINE® 200 II 上的 AlScN 沉積製程。
能力與產品項目
- Batch／Cluster／Inline 薄膜沉積系統
- PVD 蒸鍍與濺鍍技術
- 電子束蒸鍍
- 磁控濺鍍
- Facing Target 低損傷濺鍍
- 最多 4 源多源共濺鍍
- 200 mm 濺鍍／蝕刻／PECVD／PEALD Cluster 平台
- 全自動 300 mm Cluster 平台
- 650×650 mm 面板 Degas／Etch／Sputter
- 300 mm FOWLP Degas／Etch／Sputter
- TGV 晶圓與面板種子層沉積
- 沉積中 In-situ 薄膜特性控制
- SiC／GaN 薄膜沉積方案
- 精密光學薄膜沉積