기본 정보
| 부스 | I3000 |
| 국가 | GB |
| 웹사이트 | clas-sic.com/solutions |
회사 소개
Clas-SIC Wafer Fab은 Silicon Carbide 전력 반도체를 제조하는 세계 최초의 전용 오픈 파운드리라고 설명하며 팹리스 설계사와 주요 반도체 기업이 SiC 시장에 빠르게 진입하도록 지원합니다. Tech stream은 SiC를 처음 다루는 팹리스 설계사가 검증된 공정 설계 키트에서 설계하고 제조 및 고전압 종단의 공정 knowhow를 활용하도록 합니다. 저율 생산 서비스는 기술 소자를 저율 생산으로 전환하고 라이선스 팹을 이용해 다양한 고객 라이프사이클에서 대량 생산으로 이동하도록 지원합니다. 라이선싱 서비스는 개념에서 대량 제조로 확대하고 SiC 및 wide bandgap 기회 진입을 가속하려는 대형 웨이퍼 팹을 대상으로 합니다. Clas-SIC는 SiC 공정과 신뢰성이 검증된 설계 키트를 결합하며 650V- >3.3kV의 JBS/MPS SiC 다이오드와 MOSFET을 다루고 고객은 6.5kV 이상 소자도 개발 중입니다. 회사는 이 모델을 비용 효율적인 시장 진입 경로로 제시합니다. 기존 고객 기반은 유럽, 중국, 대만, 브라질, 북미에 걸쳐 있으며 대만에서 팹리스 설계사, 연구기관, wide bandgap 공급망 기업, 고효율·고출력 변환 제품 및 센서 개발사, Wide Band Gap 반도체 최종 사용자와의 협업을 모색합니다.
전시 제품
Clas-SIC는 신규 SiC 소자의 빠른 개발과 프로토타이핑을 통해 고객이 연구실에서 팹으로, 이어 저·중량 생산으로 이동하도록 지원하며 개발, seeding samples, 중량 생산까지 지원한 뒤 대량 생산 파운드리 파트너로의 이전을 촉진합니다. 평면 MOSFET 및 JBS/MPS 다이오드용 신뢰성 검증 SiC Process Design Kits를 제공하며 출시된 키트에는 1200V, 1700V, 3300V MOSFET Process Design Kit와 JBS/MPS Diode Design Kit가 있습니다. Clas-SIC는 소자 처리, process module 솔루션, 개별 공정 능력을 제공하며 Lochgelly 시설은 2022년 12월 NMI Manufacturing Site of the Year Award를 받았습니다. process modules에는 alignment target, implant hard mask, carbon cap implant anneal, MOSFET gate dielectric and gate polysilicon, backside ohmic contact, frontside n+ and p+ ohmic contacts, Schottky contact, MOSFET gate and source contacts, power metal, passivation, backside tri-metal, wafer test, 패키지 부품 프로토타입 신뢰성, 박막 웨이퍼 backside ohmic contact가 포함됩니다. solution categories에는 SiC Devices, Silicon Carbide Foundry, Sub-contract Services, Fast Prototyping이 포함되며 concept부터 prototype, manufacture까지를 다룹니다. 저·중규모 SiC 생산 능력은 시장 출시 시간 이점을 제공한다고 설명되며 고객 R&D는 200 man-years를 넘는 Silicon Carbide 공정 경험과 기술 위험을 줄이고 R&D 주기와 제조성을 최적화하기 위한 off-the-shelf Process Module IP 라이브러리로 지원됩니다. 장비는 150mm SiC 웨이퍼에서 JBS/MPS 다이오드 및 MOSFET 공정을 처리할 수 있고 다른 SiC 소자의 제조와 laser scribe, ion implant, carbon cap anneal 같은 부분 웨이퍼 처리도 협의할 수 있습니다. 사내 역량은 Si와 SiC용 laserscribe, 0.5um까지의 i-line photolithography, negative-acting photodefinable polyimide 및 cure, LAM4520 plasma oxide/nitride etch, LAM9400 plasma silicon/polysilicon/SiC target etch, LAM9600 plasma metal etch를 포함합니다. 추가 역량은 plasma ash, Piranha, solvent strip에 의한 resist strip, 다양한 wet metal·oxide·polysilicon etch, Mercury acid processor를 이용한 pre-furnace clean, 최대1300°C에서 N2, O2, H2, N2O, NO, Cl source를 사용하는 oxidation furnaces를 포함합니다. 또한 polysilicon, silicon nitride, low temperature oxide용 LPCVD, Furnace Diffusion에 의한 Polysilicon Doping, 최대1750°C의 Centrotherm Activator implant anneal, N2·Ar·forming gas를 사용하며 최대1250°C의 Mattson 2800 Rapid Thermal Anneal을 제시합니다. 증착 및 금속화 역량은 silane oxide, TEOS oxide, Silicon Nitride용 PECVD, Ni·Ti·TiW·Al·AlCu sputter, Ti·Ni·Ag를 지원하는 STS XM90 back sputter를 포함합니다. Ion Implant는 ULVAC IH-860PSiC를 사용해 N, P, Al 이온을 최대400keV까지 처리하며 multiple-charge ions로1.2MeV까지 가능하고 온도는 실온에서600°C, beam parallel은 ±0.3° 이내, twist는0-360°, tilt는0-60°입니다. 기타 역량은175um까지의 wafer thinning, backside laser anneal, 최대10kV IDSS／12kV BVDSS 및200A forward pulsed 자동 테스트, Carl Zeiss Sigma SEM with EDX를 이용한 characterization입니다.
역량 및 제품
- 150mm SiC 다이오드 및 MOSFET 소·중량 웨이퍼 파운드리 서비스
- SiC 디바이스 신속 시제품 개발
- SiC 디바이스 양산 파운드리 이전 지원
- SiC 공정 기술 라이선스
- 1200V/1700V/3300V 평면형 SiC MOSFET PDK
- JBS/MPS SiC 다이오드 PDK
- Si/SiC 웨이퍼 레이저 스크라이빙
- 최소 0.5µm i-line 포토리소그래피
- 감광성 폴리이미드 패터닝 및 경화
- 산화물 및 질화물 플라즈마 식각
- 실리콘·폴리실리콘·SiC 플라즈마 식각
- 금속 플라즈마 식각
- 플라즈마 애싱·Piranha·용제를 이용한 감광막 제거
- 금속·산화물·폴리실리콘 습식 식각
- 웨이퍼 노 투입 전 산 세정
- 최고 1300°C 웨이퍼 산화 공정
- 폴리실리콘·질화실리콘·LTO LPCVD 증착
- 노 확산을 이용한 폴리실리콘 도핑
- 이온 주입 후 어닐링(탄소 캡 공정 포함, 최고 1750°C)
- 최고 1250°C 급속 열 어닐링
- 실란 산화막·TEOS 산화막·질화실리콘 PECVD 증착
- Ni/Ti/TiW/Al/AlCu 금속 스퍼터링
- Ti/Ni/Ag 웨이퍼 후면 스퍼터링
- N/P/Al 이온 주입, 최대 400keV, 다중 전하 이온 사용 시 1.2MeV
- 175µm까지 웨이퍼 박막화
- 웨이퍼 후면 레이저 어닐링
- 10kV IDSS/12kV BVDSS/200A 펄스 자동 테스트
- SEM/EDX 디바이스 특성 분석
- SiC 정렬 마크 공정 모듈
- SiC 이온 주입 하드 마스크 공정 모듈
- MOSFET 게이트 유전체 및 폴리실리콘 공정
- SiC 전면 및 후면 오믹 접촉 공정
- SiC 쇼트키 접촉 공정
- MOSFET 게이트 및 소스 접촉 공정
- SiC 전력 금속화 공정
- SiC 패시베이션 공정
- 패키징된 시제품 디바이스 신뢰성 시험