基本資料
| 攤位 | I3000 |
| 國別 | GB |
| 網站 | clas-sic.com/solutions |
公司簡介
Clas-SIC Wafer Fab 自述為全球第一家專門製造 Silicon Carbide 功率半導體的開放式晶圓代工廠，協助無晶圓廠設計公司與大型半導體業者快速進入 SiC 市場。其 Tech stream 讓初次進入 SiC 的無晶圓廠設計公司使用已驗證的製程設計套件，並運用製造與高壓終端的製程 knowhow 進行設計。低量生產服務將技術元件轉入低量生產，並以授權晶圓廠支援不同客戶生命週期朝大量生產移轉。授權服務面向希望從概念擴展至大量製造的大型晶圓廠，以加速進入 SiC 與 wide bandgap 機會。Clas-SIC 將 SiC 製程與可靠度已驗證的設計套件結合，涵蓋 650V- >3.3kV 的 JBS/MPS SiC 二極體與 MOSFET，客戶也正在設計 6.5kV 及以上的開發中元件。公司將此模式定位為具成本效益的市場導入途徑。公司表示既有客戶遍及歐洲、中國、台灣、巴西與北美，並在台灣尋求與無晶圓廠設計公司、研究機構、wide bandgap 供應鏈企業、高效率高功率轉換產品與感測器開發商，以及 Wide Band Gap 半導體終端使用者合作。
展出產品
Clas-SIC 透過新 SiC 元件的快速開發與原型製作，協助客戶從實驗室走向晶圓廠並進入低量或中量生產，支援從開發、seed samples 到中量生產，再協助移轉至大量生產晶圓代工夥伴。可提供用於平面 MOSFET 與 JBS/MPS 二極體、可靠度已驗證的 SiC Process Design Kits，已發布的套件包括 1200V、1700V 與 3300V MOSFET Process Design Kit，以及 JBS/MPS Diode Design Kit。Clas-SIC 提供元件製程、process module 解決方案與個別製程能力，其 Lochgelly 廠於2022年12月獲得 NMI Manufacturing Site of the Year Award。列出的 process modules 包括 alignment target、implant hard mask、carbon cap implant anneal、MOSFET gate dielectric and gate polysilicon、backside ohmic contact、frontside n+ and p+ ohmic contacts、Schottky contact、MOSFET gate and source contacts、power metal、passivation、backside tri-metal、wafer test、封裝零件原型可靠度，以及薄化晶圓 backside ohmic contact。列出的 solution categories 包括 SiC Devices、Silicon Carbide Foundry、Sub-contract Services 與 Fast Prototyping，涵蓋 concept、prototype 到 manufacture。公司的低至中量 SiC 生產能力被定位為具有縮短上市時間的優勢；客戶研發則由超過200 man-years 的 Silicon Carbide 製程經驗與 off-the-shelf Process Module IP 資料庫支援，以降低技術風險並優化研發週期與可製造性。其設備可讓150mm SiC 晶圓完成 JBS/MPS 二極體與 MOSFET 流程，公司也可討論其他 SiC 元件製造，以及 laser scribe、ion implant、carbon cap anneal 等晶圓局部製程。廠內能力包括 Si 與 SiC laserscribe、最低至0.5um的 i-line photolithography、negative-acting photodefinable polyimide 與固化、LAM4520 plasma oxide/nitride etch、LAM9400 plasma silicon/polysilicon/SiC target etch，以及 LAM9600 plasma metal etch。其他能力包括以 plasma ash、Piranha 與 solvent strip 進行 resist strip；多種 wet metal、oxide、polysilicon etch；使用 Mercury acid processor 的 pre-furnace clean；以及最高1300°C、使用 N2、O2、H2、N2O、NO 與 Cl source 的 oxidation furnaces。廠內也列有 polysilicon、silicon nitride 與 low temperature oxide 的 LPCVD，以 Furnace Diffusion 進行 Polysilicon Doping，可達1750°C的 Centrotherm Activator implant anneal，以及可達1250°C並使用 N2、Ar、forming gas 的 Mattson 2800 Rapid Thermal Anneal。沉積與金屬化能力包括 silane oxide、TEOS oxide、Silicon Nitride 的 PECVD；Ni、Ti、TiW、Al、AlCu 的 sputter；以及具 Ti、Ni、Ag 能力的 STS XM90 back sputter。Ion Implant 使用 ULVAC IH-860PSiC，可處理最高400keV的 N、P、Al 離子，並可透過 multiple-charge ions 達1.2MeV；溫度從室溫至600°C，beam parallel 在 ±0.3°以內，twist 0-360°，tilt 0-60°。其他能力包括晶圓薄化至175um、backside laser anneal、自動測試最高10kV IDSS／12kV BVDSS與200A forward pulsed，以及使用 Carl Zeiss Sigma SEM with EDX 進行 characterization。
能力與產品項目
- 150mm SiC 二極體與 MOSFET 小中量晶圓代工
- SiC 元件快速原型開發
- SiC 元件量產代工轉移支援
- SiC 製程技術授權
- 1200V／1700V／3300V 平面 SiC MOSFET PDK
- JBS／MPS SiC 二極體 PDK
- Si／SiC 晶圓雷射刻劃
- 最低 0.5µm i-line 微影製程
- 感光型聚醯亞胺圖案化與固化
- 氧化物／氮化物電漿蝕刻
- 矽／多晶矽／SiC 電漿蝕刻
- 金屬電漿蝕刻
- 電漿灰化、Piranha 與溶劑光阻剝除
- 金屬、氧化物與多晶矽濕蝕刻
- 晶圓爐前酸洗
- 最高 1300°C 晶圓氧化製程
- 多晶矽、氮化矽與 LTO 的 LPCVD 沉積
- 多晶矽爐管擴散摻雜
- 離子植入退火（含碳帽製程，最高 1750°C）
- 最高 1250°C 快速熱退火
- 矽烷氧化物、TEOS 氧化物與氮化矽 PECVD 沉積
- Ni／Ti／TiW／Al／AlCu 金屬濺鍍
- Ti／Ni／Ag 晶圓背面濺鍍
- N／P／Al 離子植入，最高 400keV，多重電荷可達 1.2MeV
- 晶圓薄化至 175µm
- 晶圓背面雷射退火
- 10kV IDSS／12kV BVDSS／200A 脈衝自動測試
- SEM／EDX 元件特性分析
- SiC 對位標記製程模組
- SiC 離子植入硬遮罩製程模組
- MOSFET 閘極介電層與多晶矽製程
- SiC 正面與背面歐姆接觸製程
- SiC 蕭特基接觸製程
- MOSFET 閘極與源極接點製程
- SiC 功率金屬化製程
- SiC 鈍化製程
- 封裝元件原型可靠性測試