기본 정보
| 부스 | J2934 |
| 국가 | TW |
| 웹사이트 | www.atecom.com.tw |
회사 소개
Atecom Technology Co., Ltd.는 1998년 대만 타이베이에서 설립된 반도체 소재 제조 및 공급업체입니다. 소재 포트폴리오에는 실리콘 잉곳과 웨이퍼, 에피택시 웨이퍼, 사파이어, 인듐인화물, SiC, GaN, 박막 리튬 나이오베이트가 포함됩니다. 이 반도체 및 화합물 소재 결정은 AI, 첨단 패키징, 광통신, 열관리, MEMS, LED 및 전력 전자 분야에 적용되며 회사는 첨단 소재 제품군을 지속적으로 확대하고 있습니다.
전시 제품
Atecom Technology Co., Ltd.는 제품을 Semiconductor, Compound WBG, Compound IIIV, Advanced Materials, Process & Parts/MISC로 분류하며 반도체 웨이퍼 소재로 GaN, SiC, Silicon, SOI, Diamond, Ceramic을 제공합니다. Semiconductor 범주의 기판에는 Silicon, SOI, Sapphire, Germanium, Glass가 포함되며 반도체 전력 소자, 파운드리 공정, 제조 및 첨단 패키징에 대응합니다. Silicon Wafer CZ는 Czochralski Growth를 사용하며 집적회로, 검출기 또는 센서 소자, MEMS 제조, 광전자 부품 및 태양전지 용도가 제시됩니다. Silicon Wafer FZ는 Float Zone Growth를 사용하며 역시 집적회로, 검출기 또는 센서 소자, MEMS 제조, 광전자 부품 및 태양전지에 사용됩니다. Silicon Epitaxy는 단결정 실리콘 웨이퍼 위에 증착된 단결정 실리콘 층으로 설명되어 실리콘 계열의 에피택시 소재 선택지를 제공합니다. SOI Wafer는 Silicon On Insulator이며 MEMS, CMOS, RF 성능 개선 용도로 제시됩니다. Silicon Ingot는 Boule 또는 Non-Wafering material로 제공되며 전자 및 재생에너지 산업에 사용되는 소재로 설명됩니다. Sapphire Wafer는 Al2O3 단결정 산화알루미늄 기판으로 경도, 광학 투명성, 열 안정성을 갖고 LED, RF 및 광전자 분야에 사용됩니다. Germanium Wafer는 Sensor, Solar cell, Infrared optics, 고휘도 LED 및 기타 반도체 응용에 사용됩니다. Glass wafer와 Quartz 옵션에는 Glass, Al2O3, Fused, Silica Wafer가 포함되며 Semiconductor Carrier, TGV process, VR, AR, Projector, Laser TV, Optical communication, Medical application에 사용됩니다. GaN 제품에서 GaN FS Wafer는 Gallium Nitride Free Standing Bulk Wafer로 전력 전자, RF 통신, AI, EV 및 광전자 응용을 대상으로 합니다. GaN FS Wafer의 Wide Bandgap 특성은 고전압·고출력 부품에 적용되며 RF에서는 고주파 신호 전송과 향후 6G 통신이 용도로 제시됩니다. 같은 GaN FS 소재는 AI 컴퓨팅에 필요한 핵심 하드웨어용 차세대 소재이자 EV의 온보드 충전기와 인버터 같은 전력 변환 시스템용 소재로 제시됩니다. GaN 기술은 녹색과 청색 LED 제조에도 사용되며 Free-Standing Wafer는 주로 Power와 RF 용도로 제시됩니다. GaN on Silicon Epitaxy Wafer는 Power AlGaN HEMT D-Mode와 E-Mode 구조를 제공하고 사양을 맞춤화할 수 있으며 휴대전화 고속 충전 어댑터와 EV 충전소에 사용됩니다. GaN on Silicon HEMT 제품은 우수한 switching-loss performance가 특징으로 제시되며 휴대전화 고속 충전 어댑터와 EV 충전소에 사용되고 사양을 맞춤화할 수 있다고 명시되어 있습니다. GaN on Silicon 사양표에는 D-Mode와 E-Mode의 총 에피택시 두께가 모두 2~6 µm로 기재되고 기판은 4~12인치 Silicon <111> Wafer입니다. E-Mode의 pGaN Cap은 70 ~ 100 nm이며 AlGaN Barrier는 D-Mode가 20~25 nm와 Al% 20~30, E-Mode가 10~20 nm와 Al% 15~25로 제시됩니다. GaN on Silicon 적층에는 GaN Channel, AlGaN Buffer 및 AlN 층도 포함됩니다. GaN on Sapphire LED Wafer는 Green Blue LED Wafer로 스마트폰 화면, 텔레비전 디스플레이 및 향후 광통신에 사용됩니다. GaN on Sapphire Power Wafer에는 Power HEMT D-MODE와 E-MODE 구조가 있으며 Power application에 대응합니다. GaN Template Wafer는 Sapphire 기반의 Gallium Nitride Template Wafer이며 LED 또는 Power 용도로 제시됩니다. SiC Wafer는 Silicon Carbide Wafer로 EV automotive와 향후 AR 응용을 대상으로 하며 Wide Bandgap 소재 특성을 활용합니다. SiC Epitaxy Wafer는 Schottky diodes, MOSFETs, JFETs 생산에 사용되며 전압 범위는 650V~3300V 또는 그 이상으로 기재됩니다. SiC Ingot는 PVT, 즉 Physical Vapor Transport 방식으로 성장하며 4H-N 전도형은 Power, 4H-SI 반절연형은 주로 RF 또는 AR에 사용됩니다. Ga2O3 Wafer는 Gallium Oxide Wafer이며 Power, RF 및 추가 응용에 사용하는 Wide Bandgap 소재로 제시됩니다. Advanced Materials 범주에는 Diamond, AlN, Silicon Nitride가 포함되며 첨단 패키징 솔루션과 AI 컴퓨팅 소재를 대상으로 합니다. Diamond Wafer는 Monocrystalline과 Polycrystalline 형태로 제공되고 두 종류 모두 높은 열전도성, 전기 절연성 및 기계적 경도를 갖는 반도체 소재로 설명됩니다. Single-crystal diamond는 차세대 RF 소자, 마이크로파 통신 및 양자 컴퓨팅 부품을 포함한 고주파·고출력 응용에 사용됩니다. Polycrystalline diamond는 대면적 증착에 적합하며 EV, 5G 인프라 및 고성능 컴퓨팅 시스템의 열관리 기판과 패키징에 사용됩니다. AlN Wafer는 Aluminum Nitride이며 LED package, Power module, IGBT, Power resistor, Wafer bonding 및 반도체 방열 기판에 사용됩니다. AlN의 Metalized processing에는 Thin film, Thick film, DPC, DBC, AMB가 포함됩니다. Si3N4 Wafer는 Silicon Nitride이며 Circuit substrate, heat spreader, 자동차용 Power module, IGBT 및 EV Power Module에 사용됩니다. Si3N4 금속화 공정도 Thin film, Thick film, DPC, DBC, AMB를 포함합니다. Metalized CERAMIC은 AMB, DPC, DBC 공정을 제공하며 AMB는 Active Metal Brazed, DPC는 Direct Plated Copper, DBC는 Direct Bonded Copper를 뜻합니다. Ceramic metal process는 서로 다른 응용에 맞춰 맞춤화할 수 있어 반도체, 화합물 소재 및 첨단 소재 웨이퍼와 함께 가공 선택지를 제공합니다. GaN 제품군 전체는 맞춤 사양, HEMT 구조, LED Wafer, Template Wafer, Free-Standing Bulk Wafer를 통해 Power, RF, AI, EV, Display 및 Optical communication 용도를 지원합니다. Silicon부터 Advanced Materials까지 Atecom Technology Co., Ltd.는 foundry processing, MEMS, CMOS, RF, advanced packaging, thermal management 및 high-power electronics용 기판과 결정을 제공합니다.
역량 및 제품
- 실리콘 잉곳 및 웨이퍼
- 에피택셜 웨이퍼
- 사파이어 웨이퍼 소재
- 인듐 인화물 결정 소재
- 탄화규소 결정 소재
- 질화갈륨 결정 소재
- 박막 리튬 나이오베이트 소재
- SOI 웨이퍼
- GaN on Silicon 에피택셜 웨이퍼
- SiC 에피택셜 웨이퍼
- GaN 자립형 웨이퍼
- GaN on Sapphire LED 웨이퍼
- GaN on Sapphire Power 웨이퍼
- Ga2O3 웨이퍼
- 게르마늄 웨이퍼
- 유리 웨이퍼