基本資料
| 攤位 | J2934 |
| 國別 | TW |
| 網站 | www.atecom.com.tw |
公司簡介
艾德康科技股份有限公司於 1998 年在台灣台北成立，是半導體材料製造商與供應商。公司材料產品包括矽錠與矽片、外延片、藍寶石、磷化銦、碳化矽、氮化鎵及薄膜鈮酸鋰。這些半導體與化合物材料晶體應用於 AI、先進封裝、光通訊、散熱、MEMS、LED 與電力電子等領域，公司並持續擴充先進材料產品線。
展出產品
艾德康科技股份有限公司將產品分為 Semiconductor、Compound WBG、Compound IIIV、Advanced Materials 與 Process & Parts/MISC 類別，半導體晶圓材料包含 GaN、SiC、Silicon、SOI、Diamond 與 Ceramic。Semiconductor 類別中的基板家族包括 Silicon、SOI、Sapphire、Germanium 與 Glass，可對應半導體功率元件、晶圓代工製程、製造與先進封裝。Silicon Wafer CZ 採用 Czochralski Growth，列出的矽晶圓用途包括積體電路、偵測器或感測器元件、MEMS 製造、光電元件與太陽能電池。Silicon Wafer FZ 採用 Float Zone Growth，同樣列出積體電路、偵測器或感測器元件、MEMS 製造、光電元件與太陽能電池等用途。Silicon Epitaxy 被描述為沉積在單晶矽晶圓上的單晶矽層，提供矽材料家族中的外延材料選項。SOI Wafer 即 Silicon On Insulator，用於改善 MEMS、CMOS 與 RF 效能。Silicon Ingot 以 Boule 或 Non-Wafering material 形式供應，並被列為電子與再生能源產業的重要材料。Sapphire Wafer 為 Al2O3 單晶氧化鋁基板，具硬度、光學透明度與熱穩定性，應用於 LED、RF 與光電領域。Germanium Wafer 的用途包括 Sensor、Solar cell、Infrared optics、高亮度 LED 與其他半導體應用。Glass wafer 與 Quartz 選項包括 Glass、Al2O3、Fused、Silica Wafer，可用於 Semiconductor Carrier、TGV process、VR、AR、Projector、Laser TV、Optical communication 與 Medical application。氮化鎵產品中，GaN FS Wafer 為 Gallium Nitride Free Standing Bulk Wafer，面向電力電子、RF 通訊、AI、電動車與光電應用。GaN FS Wafer 的 Wide Bandgap 特性用於高電壓、高功率元件，RF 應用則包含高頻訊號傳輸與未來 6G 通訊。同一種 GaN FS 材料亦被定位為 AI 運算關鍵硬體的次世代材料，以及電動車車載充電器與逆變器等電力轉換系統材料。GaN 技術也用於綠光與藍光 LED 製造，而 Free-Standing Wafer 的主要用途則在 Power 與 RF。GaN on Silicon Epitaxy Wafer 提供 Power AlGaN HEMT 的 D-Mode 與 E-Mode 結構，規格可客製，應用包括手機快充轉接器與 EV 充電站。GaN on Silicon HEMT 產品被描述為具有良好的 switching-loss performance，並同時列出手機快充轉接器與電動車充電站等用途，產品資訊亦明確表示規格可以客製。GaN on Silicon 規格表列出 D-Mode 與 E-Mode 的總外延厚度皆為 2~6 µm，基板為 4~12 吋 Silicon <111> Wafer。E-Mode 的 pGaN Cap 為 70 ~ 100 nm；AlGaN Barrier 在 D-Mode 為 20~25 nm、Al% 20~30，在 E-Mode 為 10~20 nm、Al% 15~25。GaN on Silicon 的外延堆疊還包含 GaN Channel、AlGaN Buffer 與 AlN 層。GaN on Sapphire LED Wafer 為 Green Blue LED Wafer，用於智慧型手機螢幕、電視顯示器及未來光通訊。GaN on Sapphire Power Wafer 列有 Power HEMT D-MODE 與 E-MODE 結構，對應 Power application。GaN Template Wafer 為以 Sapphire 為基底的 Gallium Nitride Template Wafer，常用於 LED 或 Power。SiC Wafer 為 Silicon Carbide Wafer，面向電動車汽車與未來 AR 應用，並運用其 Wide Bandgap 材料特性。SiC Epitaxy Wafer 可用於製作 Schottky diodes、MOSFETs、JFETs，電壓範圍列為 650V~3300V 或更高。SiC Ingot 採 PVT，也就是 Physical Vapor Transport 方法成長；4H-N 導電型用於 Power，4H-SI 半絕緣型主要用於 RF 或 AR。Ga2O3 Wafer 即 Gallium Oxide Wafer，被列為可用於 Power、RF 與其他應用的 Wide Bandgap 材料。Advanced Materials 類別包含 Diamond、AlN 與 Silicon Nitride，面向先進封裝解決方案與 AI 運算材料。Diamond Wafer 提供 Monocrystalline 與 Polycrystalline 形式，兩者皆以高熱傳導、電氣絕緣與機械硬度作為半導體材料特性。Single-crystal diamond 用於高頻與高功率應用，包括次世代 RF 元件、微波通訊與量子運算元件。Polycrystalline diamond 可用於大面積沉積，以及電動車、5G 基礎設施與高效能運算系統的散熱基板與封裝。AlN Wafer 即 Aluminum Nitride，用於 LED package、Power module、IGBT、Power resistor、Wafer bonding 與半導體散熱基板。AlN 的 Metalized processing 包括 Thin film、Thick film、DPC、DBC 與 AMB。Si3N4 Wafer 即 Silicon Nitride，用於 Circuit substrate、heat spreader、汽車 Power module、IGBT 與 EV Power Module。Si3N4 的金屬化加工同樣包含 Thin film、Thick film、DPC、DBC 與 AMB。Metalized CERAMIC 提供 AMB、DPC、DBC 製程，其中 AMB 代表 Active Metal Brazed，DPC 代表 Direct Plated Copper，DBC 代表 Direct Bonded Copper。Ceramic metal process 可依不同應用客製，形成半導體、化合物材料與先進材料晶圓之外的加工選項。整體 GaN 產品家族包含可客製規格、HEMT 結構、LED Wafer、Template Wafer 與 Free-Standing Bulk Wafer，可對應 Power、RF、AI、EV、Display 與 Optical communication。從 Silicon 到 Advanced Materials，艾德康科技股份有限公司提供可用於 foundry processing、MEMS、CMOS、RF、advanced packaging、thermal management 與 high-power electronics 的基板與晶體。
能力與產品項目
- 矽錠與矽片
- 外延片
- 藍寶石晶圓材料
- 磷化銦晶體材料
- 碳化矽晶體材料
- 氮化鎵晶體材料
- 薄膜鈮酸鋰材料
- SOI 晶圓
- GaN on Silicon 外延晶圓
- SiC 外延晶圓
- GaN FS 自立晶圓
- GaN on Sapphire LED 晶圓
- GaN on Sapphire Power 晶圓
- Ga2O3 晶圓
- 鍺晶圓
- 玻璃晶圓