AI Technology, Inc.

SEMICON Taiwan 2026 參展廠商 · 攤位 L0808

攤位 L0808國別 US13 個產品主題
展會資訊

基本資料

攤位L0808
國別US
網站www.aitechnology.com
展商資料

公司簡介

AI Technology, Inc.(AIT)成立於 1981 年,自 1985 年開始製造,從位於紐澤西州 Princeton Junction 的 16 英畝製造與研發園區提供先進電子封裝黏著劑與材料解決方案。AIT 於 2021 年在 Princeton 擴充一座 46,000 平方英尺的無塵室設施與研發中心,並於 2022 年增設第二座公司自有的 18 英畝 Princeton 園區。AIT 依 ISO 9001:2015 標準製造,並自 1999 年起持續維持此認證。AIT 在 1980 年代率先將分子可撓性環氧黏著劑用於晶粒與基板貼合,並開發適用大面積接合的順應性、非矽系黏著膜與膠膏,以管理介面應力並提升半導體元件的長期可靠度。公司建立了廣泛的薄膜與膠膏黏著劑產品線,並擴展至半導體與電子封裝黏著劑、底部填充材料、封裝材料、塗層解決方案與熱介面材料。AIT 的可撓性電路研究包括可焊接可撓性電路基板材料,旨在高頻與 RFID 應用中取代聚醯亞胺基銅箔積層板,並以低介電損耗與低吸濕特性在微波電路中取代 PTFE 基板材料。其技術產品組合包括無溶劑晶粒與基板貼合膠膏及薄膜、可壓縮相變化導熱墊、導熱膠與導熱膏、用於取代焊料的聚合物型 Solder-Sub® 導電黏著劑、近氣密式上蓋密封劑、EMI 屏蔽墊片、黏著劑與填縫材料、UV 釋放晶圓研磨膠帶,以及高溫抗靜電切割膠帶。發展里程碑包括自 1985 年起生產用於極端環境的 EMI/RFI 屏蔽填縫材、墊片、黏著劑與導電塗層,自 1985 年起率先發展非矽系可撓、無應力環氧與薄膜技術,以及自 1990 年起推出用於堆疊晶片應用的首款自支撐晶粒貼合薄膜黏著劑。其他里程碑包括自 2000 年起用於 RIE 與高溫晶圓製程的 Cool-Grease CGR7016/CGR7018、自 2011 年起的 SOLAR-THRU™ PVDF 前板薄膜與導熱背板技術,以及自 2015 年起適用於環境溫度至 350°C 的暫時性晶圓製程蠟與特殊薄膜。AIT 於 2016 年推出用於防腐蝕的 FLUOROSEAL® 與 CIRCUITSEAL® IPC-certified 830C 三防塗層,2020 年開發元件級 EMI 防護用奈米導電塗層,並於 2022 年成立 AITCOATINGS,提供專利申請中的 PVDF 基防腐蝕塗層。2023 年,AIT 推出晶圓級暫時接合與封裝解決方案,包括 UV ablation、UV-activated release、peel release、heat-release TBDB、BUF 薄膜黏著劑、細間距底部填充材料與晶圓保護薄膜黏著劑;2024 年收購 Ormet Circuits Inc.,新增用於高密度互連與高溫先進電子封裝的 TLPS 技術。AIT 服務全球半導體與晶粒、元件、基板層級封裝、電路板三防與防腐蝕塗層,以及元件級 EMI/RFI 屏蔽市場,產品組合中並包含通過 Mil-Std 與 NASA outgassing 標準的產品。公司表示在微電子材料領域擁有超過 40 項美國專利,產品開發團隊包含 5 名以上博士級材料科學家與化學家。AIT 在香港、台灣與深圳設有在地產品支援人員,並在歐洲與亞洲維持長期合作關係,支援電子黏著劑、熱介面材料、EMI 屏蔽材料、可撓性電路基板、半導體,以及晶圓製程膠帶與材料等合作。

展商資料

展出產品

AIT 供應用於 3-D 半導體與 chiplet 應用的 Build-Up Film(BUF)黏著預浸材,以及用於背磨與 3D 晶圓製程、可潔淨釋放解黏的晶圓製程黏著劑與暫時接合解決方案。晶圓製程選項包括以一次性載具搭配黏著劑以提高處理產能、用於高地形凸塊晶圓的順形無應力暫時接合黏著劑、用於 SiC、藍寶石、GaN 與 GaAs 晶圓的蠟黏著劑,以及用於雷射解黏的高 Tg 暫時接合黏著劑。晶圓產品線亦包括背磨與切割膠帶、高溫切割與研磨膠帶、UV 與加熱釋放型切割及研磨膠帶,以及熱滑移、溶劑分離的旋塗式液態蠟與薄膜黏著劑。熱管理與介面產品包括導熱膏與導熱膠、專利可壓縮相變化導熱墊、導熱壓敏黏著劑、COOL SILVER PAD、COOL-BOND PSA-3NC 導熱黏著膠帶,以及用於 EV 電池組裝的高可壓縮、高溫、高導熱阻燃介面墊。AIT 亦供應 EV 車用的熱、電氣與機械介面材料、用於 LED 亮度與使用壽命的材料解決方案、多層 MCPWB 用絕緣金屬導熱基板與預浸材,以及多層超細線路用絕緣可撓銅基板與預浸材。電子封裝應用涵蓋晶粒貼合、基板與元件貼合、散熱器與熱管貼合、間隙填充熱介面、可撓性電路基板與 interposer、EMI 屏蔽片與墊片、腔體上蓋密封,以及瞬間熔融接合 tabbing。產品系列包括低 CTE 或高可撓且耐濕的晶粒貼合薄膜與膠膏、SOLAR-IMB™ 導熱絕緣金屬背板、SOLAR-THRU™ 透明封裝前板、SOLAR-TAB™ 低溫 tabbing 互連、基板與元件貼合薄膜及膠膏、可撓性電路基板與 interposer 銅預浸材、美國製高溫或 UV 釋放切割與研磨膠帶、MCPCB 基板,以及 COOL-GREASE®、COOL-GEL®、COOL-BOND® 與 COOL-SILVER™ 熱介面產品。上蓋密封產品包括黏著劑預成型片與膠膏,以及可焊接玻璃與陶瓷上蓋。AIT 的晶粒貼合薄膜可提供 10 micron BLT 與應力吸收,並包括用於晶片級封裝、堆疊晶片封裝、through-silicon-via 填充與 underfill 的 Dicing Die-Attach Film(DDAF)或 Dicing Die-Attach Tape(DDAT)。針對小於 1 cm 的晶粒,快速固化膠膏 ME7635-RC 與 ME8630-RC 可在 150-250°C 於數秒內固化,在 250°C 維持超過 300 psi 接合強度,並針對低吸濕與高溫穩定性設計;MC7888 與 MC8880 則為可連續使用於 300°C 的膠膏選項。針對大於 1 cm 的晶粒,ME7655-RC 與 ME8650-RC 快速固化膠膏可在 150-250°C 於數秒內固化,在 150°C 維持超過 300 psi 接合強度,並針對低吸濕與高溫穩定性設計。針對小於 1 cm 晶粒的堆疊晶片封裝,ESP7670-WL 與 ESP8680-WL 薄膜黏著劑可在 80-150°C、4-8 psi 壓力下於數秒內預黏,並可在特定溫度下無壓快速固化,在 250°C 維持超過 300 psi 接合強度;CXP7888 與 CXP8880 支援 300°C 連續使用。針對大於 1 cm 晶粒的堆疊晶片封裝,ESP7450-WL 與 ESP8450-WL 可在 125-150°C、4-8 psi 壓力下於數秒內預黏,在特定溫度下無壓固化,並在 150°C 維持超過 300 psi 接合強度。AIT 可將 UVR 250 UV 釋放切割膠帶與 ESP7660 或 CXP7860 快速固化線上 Tack-and-Cure 晶粒貼合薄膜結合;其 DDAF 則利用快速熔流分子結構,以低溫、低壓預黏後進行無壓後固化。特殊晶粒貼合選項包括可網印的 LESP7670-WL 與 LESP8680-WL,可在 80-150°C、4-8 psi 下預黏,亦可採 250°C 線上 tack-and-cure 製程;用於軍用電子的超高導熱膠膏 ME8456-DA 與 ME8650-RCT;以及用於高溫電子、可連續使用於 300°C 的 MC7888、MC8880、CXP7888 與 CXP8880。用於堆疊晶片封裝與 through-silicon-via 填充的 flip-chip 直接接觸貼合薄膜與液態 underfill 包括 CM7880 與 CXP7880-UF,採互穿網路黏著化學設計,以提供高溫穩定性、低 CTE 與耐濕性。AIT DAF 產品支援堆疊晶片封裝,可提供自 10 micron 起的接合線厚度,並面向 8-10 microns 或更薄的應用,透過工程化熔流、應力管理、熱穩定性與濕氣控制來支援製程。自 10 micron 起的可控厚度 DAF 可在約 80°C 熔流,並可在切割前後於環境溫度儲存一年;AIT 亦提供 20 micron 導電 DAF,以及 20 micron 電絕緣但具導熱性的 DAF。DAF 可在 125-175°C、約 5 psi 壓力下熔流並接合,之後無壓完成固化;固定的晶粒位置可支援精密的多晶片模組與 system-in-package 組裝。量產特性包括 Tg 175°C 以上以支援最高 250°C 的打線接合、符合 RoHS 與 REACH、提供 450 mm 以上寬度、厚度自 10 micron 起、可選擇預貼於具標準、UV 或熱釋放功能的切割膠帶,以及美國無塵室每年超過 1,000 萬平方英尺的製造產能。DAF 型號系列包括 ESP7660-HK-DAF、ESP7666-HK-DAF、ESP8660-HK-DAF 與 ESP8450-DAF,所列特性包括無壓固化或後固化、符合 MIL-STD-883F 5011.4、耐濕性、熱性能、應力管理與大型元件支援。Flow-Over-Wire DAF 包括 ESP7660-FOW 與 ESP7666-FOW,可在約 70-90°C 進行晶圓級預貼、支援最高 450 mm 的晶圓級封裝,並在約 90-150°C 進行熔流接合;其高 Tg、濕氣阻隔與應力吸收特性使黏著膜可流過堆疊晶片的打線區段。AIT 生產最高 450 mm 晶圓尺寸、搭配捲對捲切割膠帶的 DDAF,並自 2005 年起在美國製造自有晶圓切割膠帶,包括受控剝離、UV 釋放與熱釋放產品,以及可承受最高 250°C 暴露的膠帶。DDAF 膠帶相容性設計要求膠帶能與 DAF 接合,但釋放時不使 DAF 從已切割晶片分層,移除後不在 DAF 上留下殘留物,並可在固化期間與 DAF 融合以降低污染風險。切割膠帶型號包括具 UV 與/或熱釋放功能的 DT-UV1200-SE4 與 DT-UV3200-C1、可長時間維持受控剝離強度的 DT-CR1000-SE3,以及具穩定剝離強度、可短時間承受最高 250°C 並提供抗靜電版本的 DT-CR1200-R5。基板貼合產品包括乾式環氧薄膜黏著劑、黏性壓敏環氧薄膜、導熱絕緣薄膜與膠膏、導電薄膜與膠膏,以及分子可撓的無應力接合。AIT 提供大量生產用旋轉模切、特殊形狀與尺寸用雷射模切、精密零件用可程式機械模切,以及厚件用鋼刀模切。代表性基板貼合型號包括導電型 ESP8450-WL、RTC8750、TC8750,以及電絕緣型 TK7758、ESP7455、RTK7556、TP7155,提供瞬間熔融預黏或定位黏性、低吸濕、高溫暴露與大面積接合等選項。TC8750 符合 MIL-STD-883 5011.4 並通過 NASA outgassing 要求;ESP7455 規格可承受短期超過 300°C 的暴露,RTK7556 則可支援超過 250°C 的打線接合。AIT 導熱黏著劑提供可壓縮或可固化壓敏膠帶與薄膜、乾式導熱環氧膠帶、黏性導熱環氧薄膜、瞬間熔融接合導熱薄膜、單液型熱固化環氧樹脂,以及雙液型常溫固化環氧樹脂。壓敏導熱膠帶可提供超過 100 psi 的即時接合;可固化版本則可在使用中原位固化至超過 1000 psi,同時維持分子可撓性以形成低應力介面。導熱膠膏型號包括 ME7155、ME7156、ME7159、ME7638-RC 與 ME7658-RC;導電且導熱的膠膏型號包括 EG8050、ME8456-00、ME8456-LV GS002 與 ME 8650-RC。導熱且電絕緣的薄膜產品包括 COOL-BOND® CP7138、COOL-BOND® CB7208-A、ESP7455、RTK7555 與 RTK7553;導電且導熱的薄膜產品則包括 ESP8450-WL 與 RTC8750。COOL-BOND PSA-3NC 與 COOL-BOND PSA-4TC 壓敏導熱膠帶用於工業電腦、LED 顯示器、大面積導熱接合與高難度熱管理應用,包括將 GPU 與記憶體模組接合至散熱器或 heat spreader。SNAP-LID® 在塑膠、陶瓷或金屬上蓋預先塗佈黏著劑預成型片,以熱塑性或環氧型黏著劑支援線上即時預黏與接合;AIT 可在客戶零件上進行預塗,也可提供完整上蓋解決方案。COOL-LID® 結合預塗熱介面材料與上蓋密封黏著劑,包括用於每平方英吋產生超過 100 watts 元件的 COOL-PAD™;上蓋可採銅、鋁與陶瓷,若熱性能不是關鍵也可使用塑膠蓋。B-staged COOL-LID® 黏著劑與介面墊表面乾燥,可在環境溫度儲存 12 個月,在 150°C、標稱 10 psi 壓力下於數秒內黏附基板,並可在 150°C、無壓條件下於少於 5 分鐘完全固化。可點膠上蓋密封產品包括絕緣型 MC7883 與導電型 MC8880 膠膏,兩者皆為 100% solids,可在 175-200°C 於數秒內線上固化,並針對超過 300°C 的連續操作溫度設計。MC7883 規格為 CTE 低於 20 ppm/°C、飽和吸濕率低於 0.5%;MC8880 規格為 CTE 低於 25 ppm/°C、飽和吸濕率低於 0.5%;兩者皆列有 240°C Tg,並支援商用、軍用及特殊高溫感測器與電子元件應用。上蓋解決方案亦包括可焊接陶瓷、玻璃與 LCP 上蓋、預塗黏著劑預成型片,以及免焊的 EMI 屏蔽罩、上蓋與 cap。用於光學與元件上蓋密封的預塗黏著劑可應用於金屬、陶瓷、光學玻璃與 LCP 上蓋,支援線上即時預黏與接合,並列有通過細漏與粗漏測試,以及 85%RH/85°C 老化後不起霧且接合強度不變的性能。代表性上蓋密封型號包括用於較小陶瓷或塑膠上蓋的 ESP7675-HF、用於金屬上蓋 EMI 屏蔽的 ESP8680-HF、用於較大型上蓋與低於 160°C 元件的 TP7150,以及用於 EMI 屏蔽的免焊導電預塗產品 CB8130 與 CB8253-E。CB8130 列為具耐濕、可返工並可在超過 150°C 無壓瞬間熔融接合的 EMI 屏蔽產品;CB8253-E 則採壓敏接合,並可選擇在超過 150°C、無壓條件下原位固化。AIT 以實測溫升與介面熱阻評估熱介面效能,因為僅靠體積熱導率數值無法預測耦合效率;其比較方法使用 Intel CPU、強制風冷散熱器,以及嵌入散熱器接合處的熱電偶。

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