基本資料
| 攤位 | J2654 |
| 國別 | KR |
| 網站 | acenanochem.com/56 |
公司簡介
ACE NANOCHEM 是成立於 1999 年的膠體二氧化矽與 Colloidal Silica Sol 專業公司，業務核心涵蓋精密研磨所使用的材料與 slurry。公司在韓國將膠體二氧化矽商業化應用於半導體 CMP，並以 Semiconductor CMP slurry、Wafer slurry 與其他需要嚴格控制性能的 Polishing slurry 發展事業。製造範圍也從半導體研磨延伸至鋼板、玻璃塗層、造紙與耐火材料等用途。ACE NANOCHEM 將自有粒子技術應用於多種領域，並曾獲韓國以及美國、日本、中國、台灣、新加坡、馬來西亞等海外市場客戶選為優良供應商。半導體 slurry 品牌 ACESOL® 與工業用膠體二氧化矽品牌 SILIFOG® 以品質、產品性能與價格競爭力為其產品訴求。為使生產基地多元化，公司於 2014 年 12 月完成第二工廠，並於 2015 年 4 月完成原料工廠。生產體系以慶山工廠與永川 1、2 工廠為中心，製造半導體研磨液與各種工業用途的高機能膠體二氧化矽。製造作業結合嚴謹的製程管理與累積的生產 know-how，以同時支援穩定品質與供應能力。工廠資料列出目前膠體二氧化矽年產能 60,000 噸，另規劃增加年產能 15,000 噸，規酸鹽年產能為 60,000 噸。設施導入自行開發的製造技術程式，主要產品包含工業用 Colloidal SilicaSol「SILIFOG」、原料規酸鈉「SILIFOG SS」、ACESOL、Silica Sol 與 Abrasive Silica。產品倉庫 A 可存放 5,000 桶，標示為 1,100 ton，專門存放 ACESOL；產品倉庫 B 可存放 7,500 桶，標示為 1,700 ton，分區存放 ACESOL 與 SILIFOG。ACE NANOCHEM 的 CMP 附設研究所於 1999 年成立，以膠體二氧化矽國產化為目標，透過自有技術與生產方式進行產品開發。研究範圍除膠體二氧化矽製造技術外，也涵蓋奈米新材料，公司表示每年將年營收的 10% 投入技術開發。CMP 研究所設有 Pilot 與研磨設備，結合專業研究人員的開發經驗和累積技術，並透過產學研開發 consortium 與外部專業研究機構合作。公司可依反應條件控制二氧化矽粒子的大小、形狀與 pH，並表示經過接近 25 年的獨立技術開發，已累積研磨材料相關專利與 know-how。品質與環境管理以 ISO9001&14001 認證為基礎，對需要奈米級精密度的產品遵循製造流程要求。8-Core QOS 涵蓋客戶客製 Recipe 開發、以 FMEA&CP 進行潛在不良因素的先行分析與製程核心管理標準建立，以及從原料進料到最終出貨的 Lot Traceability。其餘品質機制包括以 SPC 統計分析製造與分析資料、以 MSA 評估分析設備和量測流程精密度、以 PM&5S 執行預防保養和生產環境污染防止、以 PCN 對製程或材料變更進行事前驗證與核准，以及以原因分析和不合格品管理執行 Nonconformance 管理。公司另設有一般與極微量 QC LAB，控制溫溼度並隔離外部環境變數，以提高分析資料可靠性。
展出產品
ACE NANOCHEM 供應 Semiconductor CMP slurry，並以 ACESOL® CMP Slurry Series 作為半導體 CMP 產品系列。半導體 CMP 以化學與機械方式研磨晶圓表面，以確保各製程層的平坦度；slurry 的特性會影響研磨性能、選擇比 Selectivity、Scratch 與最終表面品質。ACESOL® Series 依不同半導體製程的膜層特性設計，以研磨性能與穩定製程特性支援生產力與良率。半導體 CMP 產品包含 Oxide CMP Slurry、Poly CMP Slurry、Cu Bulk Slurry 與 Cu Barrier Slurry。公司也供應 Silicon Wafer CMP Slurry，用於矽晶圓製造時的超精密表面平坦化，其目的與需求特性不同於半導體元件製程用 CMP Slurry。此類 slurry 的作用包含表面平坦化、去除 Saw Mark 與 Lapping Damage、控制 Surface Roughness (Ra)、改善 TTV (Total Thickness Variation)、降低 Warp 與 Bow，以及減少 Scratch、Pit、Haze 等缺陷。產品用於矽晶圓製造的 Final Polishing 階段，以形成後續半導體元件製程所需的高品質 Mirror Wafer。膠體二氧化矽基 slurry 可兼顧低缺陷與表面品質，並用於 200 mm 與 300 mm 矽晶圓製造。Abrasive 材料方面，公司製造作為 Semiconductor CMP slurry 原料的膠體二氧化矽粒子，並將其定位於半導體先進微細製程。依反應條件可分階段控制 10nm 到 160nm 的粒子成長，進行奈米尺度的粒徑管理。粒子技術同時涵蓋球形粒子與由粒子結合形成的非球形、非對稱二氧化矽粒子；非球形粒子技術用於提高相較傳統膠體二氧化矽的研磨速率，以提升生產力。高純度 Metal Improved Silica 製程則降低可能污染半導體元件的鹼金屬等微量雜質，以對應微細 CMP 製程要求。除膠體二氧化矽與 CMP Slurry 外，ACE NANOCHEM 亦依客戶需求開發與製造其他化學品，包括 Surfactant ADC-100、Lithium Silicate LS85 & LS45、Special Polishing Slurry SP900 與 Sodium Silicate SS3H。Surfactant ADC-100 是以自有技術開發的 300mm Si Wafer 表面保護產品，針對 Metal 污染與 LLS。Lithium Silicate LS85 & LS45 具有可用於船舶塗料與高性能防蝕塗料配方的溶解性與化學穩定性。SP900 使用球形粒子進行穩定研磨，應用於藍寶石晶圓、玻璃、silicon parts、光學鏡片與特殊金屬。SS3H 為液態規酸鈉，通常稱為 water glass，既是膠體二氧化矽的主要原料，也用於建築灌漿、洗劑、黏著劑與 binder、silica gel 製造。整體供應範圍涵蓋 Semiconductor CMP slurry、wafer polishing slurry、silica sol、abrasive silica，以及半導體與工業研磨用途的其他特殊化學品。
能力與產品項目
- 氧化層CMP研磨液
- 多晶矽CMP研磨液
- 銅主體CMP研磨液
- 銅阻障層CMP研磨液
- 矽晶圓CMP研磨液
- CMP膠體二氧化矽磨料製造
- 10–160 nm二氧化矽粒徑控制
- 球形與非球形二氧化矽粒子製造
- 低金屬雜質高純度二氧化矽精製
- 二氧化矽pH控制
- 300 mm矽晶圓表面保護劑
- 矽酸鋰
- 藍寶石晶圓、玻璃、矽零件、光學鏡片與特殊金屬拋光液
- 液態矽酸鈉
- 工業用膠體二氧化矽製造
- 客製化化學品開發與製造