基本情報
| ブース | T9404 |
| 国 | JP |
| ウェブサイト | visioniv.co.jp/diamond-substrate-development |
会社概要
株式会社VISION IV は、量子センサー、放射線検出器、次世代パワー半導体向けの高純度単結晶ダイヤモンド基板を開発しています。半導体およびセンサー向けダイヤモンド基板の開発、製造、販売を行い、高品質なダイヤモンド基板を次世代パワー半導体やセンサーの基盤材料として提供します。スケーラブルな結晶成長と精密なドーピング制御を組み合わせ、シリコン系技術が適さない極限環境での安定した動作を支える技術を構築しています。株式会社VISION IV は、ダイヤモンド材料の特長として高い熱伝導性、耐放射線性、耐久性を挙げ、厳しいデバイス環境への適用を進めています。先端材料科学と工業生産を結び付け、航空宇宙、原子力、医療、半導体の各用途を支援しています。さらに、次世代センシングと高性能エレクトロニクスに向けて、ダイヤモンドデバイスの事業化を進めています。
展示製品
株式会社VISION IV のコア技術は、長年の研究開発に裏打ちされた高品質な合成ダイヤモンドの製造プロセスと、その特性を最大限に活かす精密加工・応用技術を組み合わせたものです。『ダイヤモンド電極一体型アンビル』は高温高圧下での物質特性評価に用いられ、新素材開発や地球内部構造の解明を支援します。ダイヤモンド基板の製造では、Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition、すなわちMPCVDを用いた独自の結晶成長技術を中核にしています。高速・大面積成長技術では、世界水準のホモエピタキシャル成長速度を達成したとし、生産効率の向上につなげています。欠陥抑制プロセス技術では、バッファ層を導入して結晶欠陥の伝播を防ぎ、表面欠陥密度を10³ cm⁻²未満に抑えた高品質基板を製造します。厚膜成長技術ではクラック形成を抑制して自立厚膜を成長させ、CVD法による世界初の自立単結晶ダイヤモンド（111）基板の作製に成功したとしています。p型半導体向けの超高濃度ホウ素ドーピング技術も導入しています。品質工学とAIを組み合わせた開発プロセスにより、装置設置からわずか6か月でダイヤモンド結晶成長技術を確立しました。材料開発から量産までの総合的な技術力を示し、ダイヤモンド技術によるエネルギー課題への貢献を目指しています。1～2年の短期ロードマップでは、『ダイヤモンド電極一体型アンビル』の圧力・温度範囲拡大やセンサー機能統合による性能向上を掲げています。短期計画には、用途別のカスタマイズ力強化と国内の主要研究機関・大学への導入拡大も含まれます。3～5年の中期計画では、大口径化、無欠陥構造、特殊機能を持つダイヤモンドなど次世代合成技術を確立し、半導体製造プロセス向けダイヤモンド部品を投入する方針です。さらに量子技術用途のダイヤモンド製品を開発し、アジア市場を中心に国際展開を加速します。5年を超える長期計画では、ダイヤモンド技術を用いたエネルギー・医療デバイス、包括的なダイヤモンド技術プラットフォーム、関連エコシステムの構築を掲げています。製品・技術全体では、センサーと次世代パワー半導体を対象に、MPCVD成長、欠陥制御、厚膜成長、ドーピング、精密加工、応用開発を一つのダイヤモンド基板技術体系として結び付けています。
対応領域・製品
- ダイヤモンド基板の開発・製造・販売
- MPCVDダイヤモンド結晶成長
- 高速・大面積ダイヤモンド成長
- ダイヤモンド基板の欠陥抑制プロセス
- 自立単結晶ダイヤモンド(111) CVD基板
- p型半導体向け超高濃度ホウ素ドーピング
- 合成ダイヤモンドの精密加工・応用