基本情報
| ブース | N0367 |
| 国 | TW |
| 製品カテゴリ | Deep RIE etching; Dry Etching · Thin Film · Cleaning; Washing; Drying Equipment for Substrate, Fab Processing · Deposition; Chemical Vapor (CVD); MOCVD; PECVD; LPCVD; ALD; REALD; MVD · Etching; Stripping; Ashing - Dry and Wet Equipment |
| ウェブサイト | www.samcointl.com |
会社概要
Samco Inc.は、世界中の主要な産業顧客や学術機関のネットワーク向けに、独自の成膜（PECVD）、エッチング（ICPおよびRIE）、表面処理システム（プラズマおよびUVオゾンクリーナー）を幅広く開発・製造するプロセス装置メーカーです。化合物半導体、フォトニクス、MEMSその他の産業の主要メーカーに対し、プロセスの専門知識とターンキーシステムを提供しています。
展示製品
Samcoのエッチングシステムは、反応性ガスの導入とプラズマの生成により、半導体基板上のターゲットに対してエッチング反応を起こし、精密な材料除去および表面処理を行うよう設計されています。当社のラインナップには、ナノレベルの制御を実現する高度なAtomic Layer Etching (ALE)、III-V族化合物やその他の材料の高密度プラズマエッチングに対応するInductively Coupled Plasma (ICP) エッチング、MEMSおよびTSV用途に最適化されたSilicon Deep Reactive Ion Etching (DRIE) が含まれます。Reactive Ion Etching (RIE) やXenon Difluoride (XeF₂) エッチングシステムを含むその他のオプションは、多様な基板や膜種に対応する柔軟性を備え、研究開発から高スループットな生産までをサポートします。 Atomic Layer Etching (ALE) は、エッチングプロセスにおける吸着工程と反応工程を分離し、各工程を繰り返すことでナノレベルのエッチング深さを制御する技術です。半導体デバイスの微細化に伴い、次世代デバイス開発における主要プロセスとして注目を集めています。ALEは、GaNやAlGaNの膜厚制御、低レートエッチングによる表面平滑性の維持、さらにはGaN HEMTデバイスにおけるp-GaN/AlGaNの高選択比エッチングなどのプロセスへの応用が期待されています。Samcoは、研究から生産段階まで幅広く対応可能なALE用ICPエッチングシステムとして、「RIE-400iP-ALE」および「RIE-800iP-ALE」の2モデルを提供しています。 SamcoのInductively Coupled Plasma (ICP) エッチングシステムは、研究および生産環境の双方における独自のプロセス要件を満たす、高密度プラズマソリューションを提供します。信頼性が高く耐久性に優れたコンパクトなICPエッチングシステムにより、III-V族化合物半導体（GaN、GaAs、InP）、シリコン、SiC、石英、ガラス、誘電体、金属など、多様な材料の処理が可能です。 Samcoは、Bosch Processを用いたSilicon Deep Reactive Ion Etching (DRIE) システムを提供する、日本初の半導体プロセス装置メーカーです。MEMSデバイス製造やTSVビアホールエッチング向けに、様々なサンプルサイズやチャンバー数に対応したDRIEシステムを提供しています。当社のシステムは業界をリードするプロセス能力を備えており、製品ラインナップは研究開発から生産までをカバーしています。大量生産向けには、ダブルリアクションチャンバー仕様も用意しています。
対応領域・製品
- ALE 向け RIE-400iP-ALE および RIE-800iP-ALE ICP エッチング装置
- Bosch Process を用いた DRIE
- ICP エッチング装置
- MEMS および TSV 向け Silicon Deep Reactive Ion Etching (DRIE)
- PECVD 成膜装置
- RIE エッチング装置
- Xenon Difluoride (XeF₂) エッチング装置
- ナノレベル制御向け Atomic Layer Etching (ALE)
- プラズマおよび UV-Ozone クリーナ表面処理装置