基本情報
| ブース | N0367 |
| 国 | TW |
| ウェブサイト | www.samcointl.com |
会社概要
サムコ株式会社は、世界の主要な産業顧客および学術機関向けに、成膜、ドライエッチング、表面処理システムを開発・製造するプロセス装置企業であり、化合物半導体、フォトニクス、MEMSなどのメーカーにプロセス技術とターンキーシステムを提供しています。1979年に設立され、日本の京都にある小さなガレージからベンチャー企業として出発し、世界の顧客へ半導体・電子部品製造システムを供給することを目指しました。同年にはa-Si太陽電池研究向けの最初のPlasma Chemical Vapor Deposition製品を納入し、その後、研究用途と生産用途の双方にプロセスソリューションを提供する約200名規模の世界的企業へ成長しました。Samcoという名称はSemiconductor And Materials COmpanyの短縮形で、化合物半導体と材料科学における事業、および化合物半導体材料の継続的な研究開発を示しています。同社は薄膜技術を事業の中核に据え、Chemical Vapor Deposition、ドライエッチング、ドライクリーニングまたは表面処理の三分野にプロセス技術を展開しています。CVD装置は半導体基板に反応性ガスを導入し、プラズマなどで化学反応を起こして薄膜を形成し、半導体を湿気や塵から保護するとともに絶縁性を付与します。Samcoのliquid source CVDプロセスは独自原料を使用し、低温での高速成膜を可能にすると説明されています。ドライエッチングでは薄膜の微細加工と化合物半導体加工に注力し、次世代パワーデバイス材料であるGaNやSiCにも対応します。ドライクリーニングでは真空中で反応性ガスをプラズマ化して半導体基板表面を洗浄し、Aqua Plasmaは銀・銅の表面還元や樹脂接合などに利用されています。また、UV光、オゾン、ステージ加熱を組み合わせ、アッシングと表面処理に用いるUV ozone cleanerも提供しています。Samcoは、材料科学とエレクトロニクス分野を継続しながら、半導体・電子部品を含むエレクトロニクスからライフサイエンス、ヘルスケアへ事業を広げる方針を示しています。同社の沿革は、研究機関向け装置と量産向けプロセスシステムの双方を包含し、会社史で示されるベンチャー精神を継承しています。
展示製品
サムコ株式会社のエッチング製品群は、Atomic Layer Etching、Inductively Coupled Plasmaエッチング、Silicon Deep Reactive Ion Etching、Reactive Ion Etching、Xenon Difluorideエッチングを含み、半導体基板の研究開発から生産環境までを対象とします。反応性ガスとプラズマによって材料を選択的に除去し、表面処理を行い、ALEはナノレベル制御、ICPは高密度プラズマ、DRIEはMEMSおよびTSV用途に対応します。Atomic Layer Etchingは吸着工程と反応工程を分離して繰り返し、エッチング深さをナノレベルで制御する技術です。ALE用途として、GaNまたはAlGaN膜厚の制御、低レートエッチングによる表面平滑性の維持、GaN HEMTデバイスのp-GaN/AlGaN高選択比エッチングが挙げられています。ALE向けにはRIE-400iP-ALEとRIE-800iP-ALEの2機種を提供し、研究から生産まで利用できます。RIE-800iP-ALEは8インチのLoad Lock型Atomic Layer Etchingシステム、RIE-400iP-ALEは4インチのLoad Lock型で、精密な深さ制御を目的とします。ALEシステムの機能には、高速切替ガス入力バルブ、HSTC Hyper Symmetrical Tornado Coil、新しい高流量排気、エンドポイントモニタリングが含まれます。用途にはGaN HEMTのrecess etching、2D材料エッチング、photonic crystalエッチング、低レート・低ダメージエッチングも含まれます。ICPシステムは高密度プラズマで精密エッチングを行い、GaN、GaAs、InPなどのIII-V化合物半導体、silicon、SiC、quartz、glass、dielectrics、metalsに対応します。ラインアップには8インチCassette LoadingのRIE-802iPCとRIE-800iPCがあり、RIE-802iPCはdual reaction chamber、RIE-800iPCは高レート均一エッチング向けです。RIE-800iPは8インチLoad Lock、RIE-400iPCとRIE-400iPはそれぞれCassette LoadingとLoad Lockを採用する4インチICP-RIEシステムです。バッチ処理および小径ウェハ向けには350 mmのRIE-350iPC、230 mmのRIE-230iPC、230 mmでCarrier Tray Transferを備えるRIE-230iPがあります。RIE-100HiCは6インチCassette Loading機で、高速大気搬送を特徴とします。ICPシリーズは、高いエッチレート、優れた均一性、基板バイアスとイオンエネルギー制御、ESCによる-10Cから+200Cのウェハ温度制御、広範なプロセスライブラリを掲げています。用途はMicroLED、laser diode、SiC power device、GaN RF device、SAW/BAW filter、capacitor、MEMS deviceです。特許取得済みTornado ICP coilは、従来のcapacitively coupled plasma RIEに比べ最大1,000倍のプラズマ密度を実現するとされ、化合物半導体、silicon、金属薄膜の高速・高アスペクト比エッチングを支えます。また電磁界シミュレーションを用いてTornado ICP coilを最適化し、研究と生産の双方でプラズマ均一性とエッチング性能を高めています。Silicon DRIEでは、Bosch Processを用いるDRIEシステムを提供した最初の日本の半導体プロセス装置メーカーであるとしています。DRIEシステムは複数の試料サイズとチャンバー数を用意し、MEMSデバイス製造とTSV via-holeエッチングに対応し、高量産向けにはdouble reaction chamber仕様も選択できます。Reactive Ion Etchingでは、大学などのデバイス研究やIC failure analysisのdie deprocessingに適したbenchtop compact RIE etcherを提供します。Open LoadおよびLoad Lock RIEはsilicon、dielectrics、compound semiconductors、metals、polymers、photoresistを対象とし、Cassette Loading RIEはデバイス製造のスループット向上を目的とします。XeF2エッチングはMEMS製造におけるsilicon sacrificial layerの除去を主用途とし、乾式プロセスによって湿式プロセスのstictionによる破壊を避け、前処理と後処理も不要にします。VPE-4FはXeF2エッチングをcompact tabletop systemとして提供します。製品群全体で、ナノレベルのサイクルエッチング、高密度ICP、深掘りシリコン、RIE、等方性XeF2を研究開発から量産までカバーし、基板、膜、デバイス条件に応じた選択肢を提供します。
対応領域・製品
- PECVD薄膜堆積システム
- 原子層エッチング（ALE）システム
- ICP高密度プラズマエッチングシステム
- MEMS／TSV向けシリコンDRIEシステム
- 反応性イオンエッチング（RIE）システム
- XeF₂乾式等方性エッチングシステム
- Plasma Cleaner表面洗浄システム
- UV-Ozone Cleaner表面洗浄システム