基本資料
| 攤位 | N0367 |
| 國別 | TW |
| 網站 | www.samcointl.com |
公司簡介
Samco Inc. 是一家製程設備公司，為全球主要工業客戶與學術機構開發並製造沉積、乾式蝕刻與表面處理系統，並向化合物半導體、光子學、MEMS 與其他產業的製造商提供製程專業與 turnkey 系統。公司成立於 1979 年，最初在日本京都一處小型車庫以創業公司的形式起步，目標是向全球客戶供應半導體與電子元件製造系統。同年，公司交付第一套用於 a-Si 太陽能電池研究的 Plasma Chemical Vapor Deposition 產品，之後發展為擁有近 200 名員工、同時服務研究與量產需求的全球企業。Samco 名稱源自 Semiconductor And Materials COmpany 的縮寫，反映公司在化合物半導體與材料科學上的工作，以及持續進行的化合物半導體材料研究開發。公司以薄膜技術為核心，將製程專長集中於 Chemical Vapor Deposition、乾式蝕刻與乾式清洗或表面處理。其 CVD 設備透過向半導體基板導入反應氣體，並利用電漿或其他方式引發化學反應形成薄膜，可用於防護半導體免受水氣與灰塵影響，並賦予絕緣功能。Samco 的 liquid source CVD 製程使用專有原料，並被描述為可在較低溫度下進行高速沉積。在乾式蝕刻方面，公司著重薄膜微細加工與化合物半導體處理，包括氮化鎵與碳化矽等次世代功率元件材料。在乾式清洗方面，Samco 於真空中以反應氣體產生電漿清潔半導體基板表面，Aqua Plasma 技術可用於銀與銅的表面還原以及樹脂接合。公司也供應結合 UV 光、臭氧與載台加熱的 UV ozone cleaners，用於灰化與表面處理。Samco 表示，在持續從事材料科學與電子領域工作的同時，業務也由電子、半導體與電子元件延伸至生命科學與醫療保健領域。公司的沿革因此同時涵蓋研究實驗室設備與量產製程系統，並延續公司歷史所描述的創業精神。
展出產品
Samco Inc. 的蝕刻產品組合涵蓋 Atomic Layer Etching、Inductively Coupled Plasma 蝕刻、Silicon Deep Reactive Ion Etching、Reactive Ion Etching 與 Xenon Difluoride 蝕刻，可用於半導體基板、研發作業與量產環境。這些系統以反應氣體與電漿進行目標材料去除及表面處理，其中 ALE 提供奈米級控制，ICP 提供高密度電漿蝕刻，DRIE 則面向 MEMS 與 TSV 應用。Atomic Layer Etching 將吸附與反應步驟分離並反覆執行，使蝕刻深度可控制到奈米尺度。Samco 列出的 ALE 應用包括控制 GaN 或 AlGaN 薄膜厚度、透過低速率蝕刻維持表面平滑，以及 GaN HEMT 元件中的 p-GaN/AlGaN 高選擇比蝕刻。ALE 產品包括 RIE-400iP-ALE 與 RIE-800iP-ALE 兩款 ICP 蝕刻系統，均可從研究階段使用到生產階段。RIE-800iP-ALE 為 8 吋 Load Lock Atomic Layer Etching 系統，RIE-400iP-ALE 則是 4 吋 Load Lock 系統，用於精確深度控制。ALE 系統所列功能包括快速切換的氣體輸入閥、HSTC Hyper Symmetrical Tornado Coil 電漿源、高流量排氣與終點監測。其他 ALE 應用還包括 GaN HEMT recess etching、2D 材料蝕刻、photonic crystal 蝕刻，以及低速率、低損傷蝕刻。Samco 的 ICP 系統以高密度電漿進行精密蝕刻，可處理 GaN、GaAs、InP 等 III-V 化合物半導體，以及 silicon、SiC、quartz、glass、dielectrics 與 metals。ICP 產品線包括 RIE-802iPC 與 RIE-800iPC 8 吋 Cassette Loading 系統，其中 RIE-802iPC 為雙反應腔配置，RIE-800iPC 則用於高蝕刻速率與均勻加工。RIE-800iP 是 8 吋 Load Lock ICP-RIE 系統，RIE-400iPC 與 RIE-400iP 則是分別採用 Cassette Loading 與 Load Lock 的 4 吋系統。批次與小直徑晶圓處理產品包含 350 mm 的 RIE-350iPC、230 mm 且採 Cassette Loading 的 RIE-230iPC，以及 230 mm、採 Load Lock 與 Carrier Tray Transfer 的 RIE-230iP。RIE-100HiC 是 6 吋 Cassette Loading ICP-RIE 系統，定位為高速大氣傳送。ICP 系列列出的效能包括高蝕刻速率、優異均勻性、基板偏壓與離子能量控制、透過 ESC 進行 -10C 至 +200C 的晶圓溫度控制，以及完整的製程資料庫。應用範圍包括 MicroLED、laser diode、SiC power device、GaN RF device、SAW/BAW filter、capacitor 與 MEMS device。Samco 表示，具專利的 Tornado ICP coil 可達到傳統 capacitively coupled plasma RIE 系統最高 1,000 倍的電漿密度，支援化合物半導體、silicon 與金屬薄膜的高速、高深寬比蝕刻。公司也利用電磁場模擬最佳化 Tornado ICP coil，以提升研究與量產中的電漿均勻性及蝕刻效能。Silicon DRIE 方面，Samco 表示自己是第一家提供採用 Bosch Process 之 DRIE 系統的日本半導體製程設備製造商。DRIE 系統涵蓋不同樣品尺寸與腔體數，可進行 MEMS 元件製造與 TSV via-hole 蝕刻，並可提供雙反應腔規格以因應高產量元件製造。Reactive Ion Etching 產品包括適用於學術元件研究與 IC failure analysis die deprocessing 的桌上型 compact RIE etcher。Open Load 與 Load Lock RIE 系統可蝕刻 silicon、dielectrics、compound semiconductors、metals、polymers 與 photoresist，Cassette Loading RIE 系統則用於提高元件製造吞吐量。XeF2 系統主要用於 MEMS 製造時蝕刻 silicon sacrificial layer，乾式製程可避免濕式製程中的 stiction 造成元件破壞，也不需要濕式製程的前處理與後處理。VPE-4F 將 XeF2 蝕刻整合於 compact tabletop system。整體產品線由奈米級循環蝕刻、高密度 ICP、深矽蝕刻、RIE 到等向性 XeF2，涵蓋研發與量產，並可依不同基板、薄膜與元件需求選擇。
能力與產品項目
- PECVD 薄膜沉積系統
- 原子層蝕刻（ALE）系統
- ICP 高密度電漿蝕刻系統
- MEMS／TSV 深矽 DRIE 系統
- RIE 反應離子蝕刻系統
- XeF₂ 乾式等向性蝕刻系統
- Plasma Cleaner 表面清洗系統
- UV-Ozone Cleaner 表面清洗系統