基本資料
| 攤位 | L1104 |
| 國別 | JP |
| 產品分類 | Bonding; Interconnect Materials - Wire; Ribbon; Tape; Capillaries & Tools · Ingots, Wafers · Consumables · Compound Semiconductor substrates (GaAs on Silicon; GaN; InP; SiGe, etc.) · Diamond substrates · Epitaxial; Epi; Gettered; Internal Gettered Wafers · Gallium Arsenide (GaAs); Sapphire Substrates · Prime; Polished; Mirrored Wafers · Silicon on Insulator (SOI); Silicon on Sapphire (SOS); Silicon Carbide; · solar cell substrates; crystalline silicon (c-Si); thin film · Strained silicon; Engineered Substrates · Substrate Materials · Test; Monitor Wafers; Reclaim or Virgin · Thin & Thick film substrates for MEMS |
| 網站 | www.dong-xu.co.jp |
公司簡介
D&X是一家位於日本東京的半導體公司, 銷售範圍有台灣、中國、韓國、東南亞地區、美洲地區、歐洲地區。 主要業務為膠帶的研發及生產, 同時亦有從Prime到Dummy級別的晶圓, 可提供各尺寸及各特殊材質的晶圓國際貿易。 膠帶方面, 我們提供專業切割、研磨、耐熱及BUMPING用的膠帶, UV及Non-UV均有在售, 並且都在日本研發及生產, 可應用於車用、感測、二極體、處理器、高科技等產品，也可客制化於各類半導體產業。 晶圓方面, 我們主要銷售日本三大廠生產的晶圓, 尺寸由1-12吋, 等級從dummy到prime都均有在售,並且提供各項特殊絕緣膜及金屬膜, 適用於各企業以及研究體系。 除矽晶圓外, 我們亦有提供藍寶石, 碳化矽, SOI, 玻璃及砷化鎵等特殊材質的晶圓。
展出產品
Epitaxial Silicon Wafer (EPI Wafer)：結構、製造與關鍵應用 Epitaxial wafer（通常稱為 EPI wafer）是一種半導體基板，透過受控的磊晶沉積製程，在其上生長一層薄的矽晶體層。生長出的層保持與下方基板相同的晶體取向，形成連續且缺陷受控的晶體結構。 在半導體製造中，磊晶層通常沉積在高度拋光的矽晶圓上。此製程使工程師能夠精確控制摻雜濃度、電阻率和層厚度等重要的電氣參數，從而實現先進半導體元件的製造。 根據應用需求，磊晶層的厚度範圍可從次微米級到數十微米，使元件設計人員能夠針對特定應用調整電氣特性。 磊晶製程涉及將半導體材料沉積到單晶基板上，同時保持其晶體取向。此技術能夠生長出極其均勻且電氣與結構特性受到嚴格控制的半導體層。 在這些方法中，基於 CVD 的磊晶技術因其能夠生產出具有優異厚度和摻雜均勻性的高品質層，而被廣泛用於矽磊晶晶圓。 與傳統矽晶圓相比，Epitaxial wafer 具有多項技術優勢。 磊晶層直接從基板晶格生長，產生了優異的晶體連續性，並顯著降低了缺陷密度。這種高品質的晶體對於可靠的半導體元件運作至關重要。 在磊晶生長過程中，可以引入精確濃度水平的摻雜劑。這使製造商能夠設計出具有精心工程化電氣特性的半導體結構。 在 Epitaxial wafer 上製造的元件通常表現出更好的電氣性能，包括更低的漏電流、更好的崩潰電壓控制以及增強的開關效率。
能力與產品項目
- 1-to-12-inch Prime 到 Dummy 等級晶圓
- Compound Semiconductor 基板（GaN；InP；SiGe）
- EPI wafer 用受控磊晶沉積製程
- Epitaxial Silicon Wafer (EPI Wafer)
- UV 與 Non-UV 類型半導體切割膠帶
- UV 與 Non-UV 類型半導體研磨膠帶
- 半導體製程用凸塊膠帶
- 晶圓用特殊絕緣膜與金屬膜
- 耐熱半導體膠帶
- 藍寶石、silicon carbide、SOI、玻璃與 gallium arsenide 晶圓