基本情報
| ブース | I3222 |
| 国 | TW |
| ウェブサイト | gccsemi.com/en/home-english |
会社概要
GeChi Compound Semiconductor Co., Ltd.は、第三世代半導体材料とSiC技術の開発を中心とする専門的なシリコンカーバイド（SiC）技術プロバイダーです。産業の急速な進展に合わせて、同社はコア技術と継続的な技術開発を通じ、第三世代半導体材料への理解をさらに深めているとしています。GeChi Compound Semiconductor Co., Ltd.は高品質SiC結晶の研究開発と製造に継続して取り組み、結晶材料の開発と生産を半導体材料事業の中核に位置付けています。同じ取り組みは高品質SiCウェハの研究開発と製造にも及び、結晶材料に関する活動と化合物半導体サプライチェーン向けウェハ製品を結び付けています。同社は製造プロセスを継続的に改善するとしており、プロセス改善をSiC結晶・ウェハ製品の開発と生産の明確な要素にしています。また、変化する顧客要求と市場需要に対応して製品品質を最適化し、プロセス開発をSiC材料とウェハに求められる条件の変化へ対応させています。GeChi Compound Semiconductor Co., Ltd.はサプライチェーン全体の垂直統合を重視し、材料とウェハの活動を化合物半導体バリューチェーン各段階をつなぐ取り組みの中に位置付けています。さらに、SiC材料技術、製造プロセスの改善、製品品質の最適化を継続しながら、化合物半導体産業の発展を加速することを目指しています。会社の位置付けは、SiC材料の研究開発・製造だけでなく、プロセス改善、品質最適化、顧客・市場要求への対応、サプライチェーン統合を組み合わせたものです。
展示製品
SiC製品について、GeChi Compound Semiconductor Co., Ltd.は第三世代化合物半導体の市場発展と技術開発を10年以上にわたり追い続けており、製品活動を長期にわたってこの材料分野へ集中させています。同社はSiC結晶成長を専門領域として明示し、シリコンカーバイド材料の継続的な開発に用いる結晶成長技術を対象としています。熱場設計も専門能力として挙げ、熱場の制御・設計をSiC結晶成長に関する専門性と組み合わせています。GeChi Compound Semiconductor Co., Ltd.はSiC技術を継続して深耕し、6インチ、8インチ、12インチの製品プラットフォームを全面的に展開しているとしています。明示された3種類のサイズにより、SiC製品の展開は6インチ、8インチ、12インチという具体的なフォーマットを持ち、その基盤技術は結晶成長、熱場設計、継続的なSiC技術開発に置かれています。
対応領域・製品
- SiC結晶成長・熱場設計
- 高品質SiC結晶・ウェハ製造
- 6インチ・8インチ・12インチSiC製品プラットフォーム