基本情報
| ブース | I3222 |
| 国 | TW |
| 製品カテゴリ | Consumables · Ingots · Compound Semiconductor substrates (GaAs on Silicon; GaN; InP; SiGe, etc.) · Substrate Materials |
| ウェブサイト | gccsemi.com/en/home-english |
会社概要
プロフェッショナルなシリコンカーバイド（SiC）技術プロバイダーとして、GCCS は結晶成長と熱場設計において深い専門性を有しています。産業の急速な進展に伴い、当社はコア技術と高品質な SiC 結晶・ウェハーの研究開発・製造への継続的な取り組みを通じて、第三世代半導体材料への理解を絶えず深めています。GCCS は、進化し続けるお客様と市場のニーズに応えるため、製造プロセスの洗練と製品品質の最適化に注力しています。さらに、サプライチェーン全体の垂直統合を重視し、化合物半導体産業の発展加速に努めています。
対応領域・製品
- SiC 熱場設計
- SiC 結晶成長
- silicon carbide (SiC) 技術
- 第三世代半導体材料開発
- 高品質 SiC ウェハ
- 高品質 SiC 結晶